可控硅元件的正向阻断峰值电压就是元件所指的耐压值。

第1题：

三相可控硅整流电路中，每个可控硅承受的最大反向电压是二次（）。

• A、相电压值
• B、相电压峰值
• C、线电压值
• D、线电压峰值

第2题：

可控硅的正向阻断是（）。

• A、可控硅加小向阳极电压，控制极加反向电压
• B、可控大地加厂向阳极电压，控制极不加反向电压
• C、可控硅加反向阳极电压，控制极加正向电压
• D、可控硅加反向阳极电压，控制极加反向电压

第3题：

可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）V。

第4题：

AB008机车电器元件（）的导通条件有2个：一是元件的阳极和阴极之间加正向电压；二是控制极必须同时加L适当的正电压。

• A、三极管
• B、可控硅
• C、稳压管
• D、单结晶体管

第5题：

当门极断开（Ig=0），元件处在额定结温时，正向重复峰值电压为正向不重复峰值电压（）%。

• A、70
• B、80
• C、90
• D、100

第6题：

可控硅元件控制极与阴极之间的反向电阻不一定比正向电阻大

第7题：

测定硅整流元件的正向压降平均值时，硅整流元件应在额定冷却条件下通过（）。

• A、反向漏电流；
• B、正向电流平均值；
• C、正向电流峰值；
• D、有效值。

第8题：

一般地，晶闸管反向阻断峰值电压比正向阻断峰值电压大得多。

第9题：

晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件一的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

断开控制极后，能保证晶闸管不导通而允许重复加在阳极与阴极间的正向峰值电压，称为正向阻断峰值电压。

第14题：

当单相半波可控硅整流装置交流电源电压为220伏时，则应该选用（）。

• A、220伏的可控硅元件
• B、300伏的可控硅元件
• C、500伏的可控硅元件
• D、250伏的可控硅元件

第15题：

晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门即断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。

第16题：

晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向阻断峰值电压，其值低于转折电压。

第17题：

可控硅元件导通时，通过可控硅的电流是由电源电压和回路阻抗决定的

第18题：

可控硅主要参数有：正向阻断峰值电压、（）、（）、控制极触发电压、维持电流等。

第19题：

晶闸管的主要参数有（）。

• A、正向阻断峰值电压
• B、反向阻断峰值电压
• C、额定正向平均电流
• D、控制极触发电压

第20题：

晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件下的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。

第21题：

通常所说多少伏的可控硅，是指它的（）是多少伏。

• A、正向阻断峰值电压
• B、正向转折电压
• C、整流电压
• D、整流电流

第22题：

第23题：