可控硅的主要特性参数有：正向阻断峰值电压PFV，反向阻断峰值电压PRV，额定正向平均电流IF，维持电流IH，控制级触发电压Vg，电压上升率dV/dt，电流上升率di/dt，额定结温Tc等。

题目

可控硅的主要特性参数有：正向阻断峰值电压PFV，反向阻断峰值电压PRV，额定正向平均电流IF，维持电流IH，控制级触发电压Vg，电压上升率dV/dt，电流上升率di/dt，额定结温Tc等。

相似考题

1.晶闸管从阻断转为导通,必须同时具备的两个条件是( )。A、阳极正向电压和门极反向电流B、阳极反向电压和门极反向电流C、阳极反向电压和门极正向电流D、阳极正向电压和门极正向电流

2.晶闸管的额定电压是指()。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、正向不重复峰值电压

3.选择晶闸管的型号一般根据:( )A、额定电压和平均电流;B、额定电流和正向转折电压;C、额定电压和额定电流;D、平均电流和正向转折电压。

4.硅整流二极管的额定电压是指()。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、正向重复峰值电压

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  • 第1题：

    UF指的是( )。

    A、正向平均电流

    B、正向压降

    C、反向重复峰值电压

    D、浪涌电流


    正确答案:B

  • 第2题：

    晶体二极管的主要特性参数有：①最大正向电流；②反向电流；③反向×××电压。


    正确答案：

     

  • 第3题：

    在实际安装与维修设备时主要考虑的是晶闸管的（）。

    • A、正向平均管压降UT（AV）
    • B、维持电流IH
    • C、反向重复峰值电压URRM
    • D、额定电压URRM
    • E、额定电流IT（AV）

    正确答案:D,E

  • 第4题：

    硅整流二极管的额定电压是指（）。

    • A、正向平均电压
    • B、反向不重复峰值电压
    • C、反向重复平均电压
    • D、正向不重复平均电压

    正确答案:C

  • 第5题：

    晶闸管的额定电压是指（）。

    • A、正向平均电压
    • B、反向不重复峰值电压
    • C、反向重复峰值电压
    • D、以上答案均不对

    正确答案:C

  • 第6题：

    晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向阻断峰值电压，其值低于转折电压。


    正确答案:正确

  • 第7题：

    试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。


    正确答案:晶闸管门极注入触发电流后，晶闸管开始只在靠近门极附近的小区域内导通，随着时间的推移，导通区才逐渐扩大到PN结的全部面积。如果阳极电流上升太快，则会导致门极附近的PN结因电流密度过大而烧毁，使晶闸管损坏。所以对晶闸管必须规定允许的最大通态电流上升率，称为通态电流临界上升率di/dt。
    晶闸管的结面在阻断状态下相当于一个电容，若突加一正向阳极电压，便会有一个充电电流流过结面，该充电电流流经靠近阴极的PN结时，产生相当于触发电流的作用，如果这个电流过大，会使元件误触发导通，因此对晶闸管还必须规定允许的最大断态电压上升率。在规定条件下，晶闸管直接从断态转换到通态的最大阳极电压上升率，称为断态电压临界上升率du/dt。

  • 第8题：

    可控硅主要参数有：正向阻断峰值电压、（）、（）、控制极触发电压、维持电流等。


    正确答案:反向阻断峰值电压；额定正向平均电流

  • 第9题：

    一般地，晶闸管反向阻断峰值电压比正向阻断峰值电压大得多。


    正确答案:错误

  • 第10题：

    晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件一的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。


    正确答案:正确

  • 第11题：

    单选题
    可控硅关断的条件是（）。
    A

    控制极电流小于维持电流

    B

    阳极电流小于维持电流

    C

    控制极加反向电压

    D

    阳极加正向电压


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过大，就会使晶闸管出现（），若di/dt过大，会导致晶闸管（）。

    正确答案： 误导通,因局部过热而损坏
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    晶闸管的几个主要参数是()。

    A.额定通态平均电流

    B.维持电流

    C.断态重复峰值电压

    D.反向重复峰值电压


    参考答案：ABCD

  • 第14题：

    在同一测试条件下，测得4个同型号二极管的参数，其中哪个二极管性能最好？( )

    A.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：8μA反向击穿电压：200V
    B.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：2μA反向击穿电压：200V
    C.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：6μA反向击穿电压：200V
    D.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：10μA反向击穿电压：200V

    答案：B
    解析：
    其他条件相同的情况下反向电流越小的二极管性能越好。

  • 第15题：

    晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门即断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。


    正确答案:正确

  • 第16题：

    晶体二级管的两个最重要参数是（）

    • A、正向电压和反向电流
    • B、额定工作电流和反向工作电压
    • C、正向电阻和正向电流
    • D、反向电流和反向电压

    正确答案:B

  • 第17题：

    晶闸管的主要参数有（）。

    • A、正向断态重复峰值电压UDRM
    • B、反向重复峰值电压URRM
    • C、通态平均电流IT（AV） 
    • D、通态平均管压降UT（AV）  
    • E、维持电流IH

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第18题：

    晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过大，就会使晶闸管出现（），若di/dt过大，会导致晶闸管（）。


    正确答案:误导通；因局部过热而损坏

  • 第19题：

    晶闸管的额定电压是在（）中取较小的一个。

    • A、正向重复峰值电压
    • B、正向转折电压
    • C、反向不重复峰值电压
    • D、反向重复峰值电压
    • E、反向击穿电压

    正确答案:A,D

  • 第20题：

    晶闸管的主要参数有（）。

    • A、正向阻断峰值电压
    • B、反向阻断峰值电压
    • C、额定正向平均电流
    • D、控制极触发电压

    正确答案:A,B,C,D

  • 第21题：

    晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件下的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。


    正确答案:正确

  • 第22题：

    通常所说多少伏的可控硅，是指它的（）是多少伏。

    • A、正向阻断峰值电压
    • B、正向转折电压
    • C、整流电压
    • D、整流电流

    正确答案:A

  • 第23题：

    问答题
    试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。

    正确答案： 晶闸管门极注入触发电流后，晶闸管开始只在靠近门极附近的小区域内导通，随着时间的推移，导通区才逐渐扩大到PN结的全部面积。如果阳极电流上升太快，则会导致门极附近的PN结因电流密度过大而烧毁，使晶闸管损坏。所以对晶闸管必须规定允许的最大通态电流上升率，称为通态电流临界上升率di/dt。
    晶闸管的结面在阻断状态下相当于一个电容，若突加一正向阳极电压，便会有一个充电电流流过结面，该充电电流流经靠近阴极的PN结时，产生相当于触发电流的作用，如果这个电流过大，会使元件误触发导通，因此对晶闸管还必须规定允许的最大断态电压上升率。在规定条件下，晶闸管直接从断态转换到通态的最大阳极电压上升率，称为断态电压临界上升率du/dt。
    解析： 暂无解析

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