实际使用的半导体都是在本征法导体中掺入一定的杂质,其目的是改善半导体的导电性能。
第1题:
本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。
第2题:
N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的()价元素组成的。这种半导体的多数载流子为(),少数载流子为()。不能移动的杂质离子带()电。
第3题:
在本征半导体中掺入杂质的目的是()。
第4题:
本征半导体掺入微量的()元素,则形成P型半导体,其多子为(),少子为()。
第5题:
在本征半导体中掺入微量的磷、锑、砷()杂质时的半导体,称为()。
第6题:
本征半导体掺入微量的三价元素形成的是()型半导体,其多子为()。
第7题:
在本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是()型掺杂半导体,其中多数的载流子是();若在本征半导体中掺入少量的五价元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。
第8题:
在半导体中掺入五价磷原子后形成的半导体称为()。
第9题:
要得到N型杂质半导体,应在本征半导体硅或锗中掺入少量的()
第10题:
在半导体中掺入三价元素后的半导体称为()
第11题:
在本征半导体中掺入少量的3价元素就成为()。
第12题:
第13题:
在杂质半导体中,()是掺入三价元素形成的。
第14题:
在本征半导体中掺入少量的三价元素杂质就形成()。
第15题:
在本征半导体内掺入微量的3价元素,可形成()型杂质半导体。其中的多子是()
第16题:
本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成P型半导体,其多数载流子是()。
第17题:
本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是();若掺入微量的三价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是()。
第18题:
在本征半导体中掺入微量的()等元素杂质时的半导体,称为P型半导体。
第19题:
在纯净的半导体中掺入不同的杂质,可形成两种不同的杂质半导体,即N型半导体和()半导体。
第20题:
在本征半导体中掺入微量五价元素可得到()型杂质半导体,在本征半导体中掺入微量三价元素可得到()型杂质半导体。
第21题:
N型半导体是在半征半导体中掺入()元素,其多数载流子是(),少数载流子()。
第22题:
在半导体中掺入施主杂质,其将成为N型半导体。
第23题:
本征半导体掺入某些杂质后,导电性能()。