为什么要限制晶闸管导通电流上升率di/dt？

题目

相似考题

1.逆变桥由4个晶闸管组成。每个晶闸管均串有空心电感以限制晶闸管导通时的()A、电流变化B、电流上升率C、电流上升D、电流

2.变压器漏抗对整流电路的影响有()。A、输出电压平均值降低B、整流电路的工作状态增多C、晶闸管的di/dt减小D、换相时晶闸管电压出现缺口

3.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du／dt和通态电流临界上升率等,若du／dt过大,就会使晶闸管出现______,若di／dt过大,会导致晶闸管______。

4.晶闸管导通后,通电晶闸管的电流()。A、决定于电路的负载B、决定于晶闸管的电流容量C、决定于电路电压D、其他因素

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第1题：

简述产生di／dt过大的原因主要以及其限制措施。

参考答案：产生di/dt过大的原因主要有：
(1)在晶闸管导通时，与晶闸管并联的阻容保护中的电容突然向晶闸管放电。
(2)交流电源通过晶闸管向直流侧保护电容充电。
(3)直流侧负载突然短路。限制di/dt过大，除了在阻容保护中选择合适的电阻外，可在每个桥臂上与晶闸管串联一个小电感，其值约几到几十微亨。一般采用空心电抗器，即用导线绕上一定圈数构成，或者在导线上套上一个或几个磁环即可。
第2题：

用晶闸管变流装置与直流电动机组成的直流调速系统中，多台变流器共用一台整流变压器时，每台变流器分别通过进线电抗器供电。以下对进线电抗器所起作用的描述中正确的是（〉。

A.限制晶闸管导通时的di/dt；
B.限制短路时的短路电流上升率；
C.提高变流器输入电压；
D.改善电源电压波形，消除变流器运转时对电源系统的公害。

答案：A,B,D
解析：
第3题：

晶闸管换流器对晶闸管元件的基本要求是（）。
- A、耐压强度高
- B、载流能力强
- C、电流上升率与电压上升率的限制符合要求
- D、尺寸不能超标
正确答案:A,B,C
第4题：

造成晶闸管误导通的主要原因有（）。
- A、通过晶闸管的通态电流上升率过大
- B、通过晶闸管的通态电流上升率过小
- C、干扰信号加于控制板
- D、加到晶闸管阳极上的电压上升率过大
- E、加到晶闸管阳极上的电压上升率过小
正确答案:C,D
第5题：

下列特点中，不属于采用强触发脉冲优点的是（）
- A、可以改变晶闸管的开通时间
- B、有利于改善串并联器件的动态均压和均流
- C、提高晶闸管的承受（di/dt）能力
- D、不可以改变晶闸管的开通时间
正确答案:A
第6题：

晶闸管为什么要动态均流？

正确答案:由于晶闸管开通时间的不同，首先导通的元件，不仅要通过全部电流，而且自身并联的电容器以及其他未导通晶闸管并联的电容器也会瞬间向它放电，使电流迅速增长，造成半导体元件内部过热而损坏。
第7题：

试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。

正确答案:晶闸管门极注入触发电流后，晶闸管开始只在靠近门极附近的小区域内导通，随着时间的推移，导通区才逐渐扩大到PN结的全部面积。如果阳极电流上升太快，则会导致门极附近的PN结因电流密度过大而烧毁，使晶闸管损坏。所以对晶闸管必须规定允许的最大通态电流上升率，称为通态电流临界上升率di/dt。
晶闸管的结面在阻断状态下相当于一个电容，若突加一正向阳极电压，便会有一个充电电流流过结面，该充电电流流经靠近阴极的PN结时，产生相当于触发电流的作用，如果这个电流过大，会使元件误触发导通，因此对晶闸管还必须规定允许的最大断态电压上升率。在规定条件下，晶闸管直接从断态转换到通态的最大阳极电压上升率，称为断态电压临界上升率du/dt。
第8题：

晶闸管的（）受温度的影响很大。
- A、导通电流
- B、触发电流
- C、触发电压
- D、导通电压
正确答案:B,C
第9题：

问答题
试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。

正确答案：晶闸管门极注入触发电流后，晶闸管开始只在靠近门极附近的小区域内导通，随着时间的推移，导通区才逐渐扩大到PN结的全部面积。如果阳极电流上升太快，则会导致门极附近的PN结因电流密度过大而烧毁，使晶闸管损坏。所以对晶闸管必须规定允许的最大通态电流上升率，称为通态电流临界上升率di/dt。
晶闸管的结面在阻断状态下相当于一个电容，若突加一正向阳极电压，便会有一个充电电流流过结面，该充电电流流经靠近阴极的PN结时，产生相当于触发电流的作用，如果这个电流过大，会使元件误触发导通，因此对晶闸管还必须规定允许的最大断态电压上升率。在规定条件下，晶闸管直接从断态转换到通态的最大阳极电压上升率，称为断态电压临界上升率du/dt。
解析：暂无解析
第10题：

问答题
为什么要限制晶闸管断电电压上升律du/dt？

正确答案：正向电压在阻断状态下，反向结J₂相当的一个电容加在晶闸管两端电压上升率过大，就会有过大的充电电流，此电流流过J₃，起到触发电流的作用，易使晶闸管误触发，所以要限制du/dt。
解析：暂无解析
第11题：

问答题
为什么要限制晶闸管导通电流上升率di/dt？

正确答案：在晶闸管导通开始时刻，若电流上升过快，会有较大的电流集中在门集附近的小区域内，虽然平均电流没有超过额定值，但在小的区域内局部过热而损坏了晶闸管，所以要限制通态di/dt。
解析：暂无解析
第12题：

多选题
在二极管整流桥前添加一个电感器的这种校正方法可以实现下列哪些作用？（）
A
限制输入电流的上升
B
限制di/dt过大
C
延长导通时间
D
将功率因数提高到0.9

正确答案： A,D
解析：暂无解析
第13题：

在二极管整流桥前添加一个电感器的这种校正方法可以实现下列哪些作用()。

A、限制输入电流的上升
B、限制di/dt过大
C、延长导通时间
D、将功率因数提高到 0.9

正确答案：A,B,C,D
第14题：

可控硅的主要特性参数有：正向阻断峰值电压PFV，反向阻断峰值电压PRV，额定正向平均电流IF，维持电流IH，控制级触发电压Vg，电压上升率dV/dt，电流上升率di/dt，额定结温Tc等。

正确答案:正确
第15题：

雷电流在波前部分上升速度di/dt为雷电流陡度。

正确答案:正确
第16题：

逆变桥由晶闸管VT7～VT10组成。每个晶闸管均串有空心电感以限制晶闸管导通时的（）。
- A、电流变化
- B、电流上升率
- C、电流上升
- D、电流
正确答案:B
第17题：

为什么说不同斩波器工作中的区别不在于晶闸管的导通电路，而在于它的关断电路？

正确答案:由晶闸管特性可知，在直流电压作用下，一旦晶闸管被触发导通，其本身不能自动关断，必须利用附加换流电路，使渡过晶闸管的电流降到零，才能关断，并且要再施加一个反压，反压作用时间要大于晶闸管的关断时间（一般为几十μs）才能使晶闸管恢复正向阻断特性。由于选用的晶闸管不同（逆阻管或逆导管）、调制方式不同，关断晶闸管的换流电路也就不同，从而构成了斩波器的不同电路。
第18题：

为什么要限制晶闸管断电电压上升律du/dt？

正确答案:正向电压在阻断状态下，反向结J₂相当的一个电容加在晶闸管两端电压上升率过大，就会有过大的充电电流，此电流流过J₃，起到触发电流的作用，易使晶闸管误触发，所以要限制du/dt。
第19题：

为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）。
- A、du/dt抑制电路
- B、抗饱和电路
- C、di/dt抑制电路
- D、吸收电路
正确答案:B
第20题：

通过晶闸管的通态电流上升率过大，可能会造成晶闸管因局部过热而损坏，而加到晶闸管阳极上的电压上升率过大，可能会造成晶闸管的（）。
- A、误导通
- B、短路
- C、失控
- D、不能导通
正确答案:A
第21题：

问答题
晶闸管为什么要动态均流？

正确答案：由于晶闸管开通时间的不同，首先导通的元件，不仅要通过全部电流，而且自身并联的电容器以及其他未导通晶闸管并联的电容器也会瞬间向它放电，使电流迅速增长，造成半导体元件内部过热而损坏。
解析：暂无解析
第22题：

填空题
晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过大，就会使晶闸管出现（），若di/dt过大，会导致晶闸管（）。

正确答案：误导通,因局部过热而损坏
解析：暂无解析
第23题：

问答题
晶闸管变流装置中为什么在主电路上要加入整流变压器进行降压？

正确答案：采用整流变压器降压后可以使晶闸管工作在一个合适的电压上，可以使晶闸管的电压定额下降，还可以使晶闸管工作于小控制角，这有利于减少波形系数，提高晶闸管的利用率，实际上也减少的晶闸管的电流定额，另外由于控制角小，这对变流装置的功率因素的提高也大为有利。
解析：暂无解析

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