P－MOSFET的三个电极为（）。A、G、S、DB、G、S、KC、G、D、KD、A、K、D

题目

P－MOSFET的三个电极为（）。

  • A、G、S、D
  • B、G、S、K
  • C、G、D、K
  • D、A、K、D
相似考题

1.测得工作在放大状态的某三极管的三个极1、2、3对地电位分别如下:V1=0V,V2=－5V,V3=－0.3V,则可判断()。A、该管为NPN管，材料为硅，1极为集电极B、该管为NPN管，材料为锗，2极为集电极C、该管为PNP管，材料为硅，1极为集电极D、该管为PNP管，材料为锗，2极为集电极

2.晶体管的三个极为()。

3.可控桂各极符号正确的是（）A、阳极a阴极为k控制极为gB、阳极为k阴极为a控制极为gC、阳极为g阴极为a控制极为k

4.P-MOSFET存在二次击穿现象。()

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  • 第1题：

    简单表述验电的三个步骤？


    正确答案: 验电的三个步骤为：
    （1）、选择符合电压等级的验电器，验电前应将验电笔在带电的设备上验电，证实验电笔是否良好。
    （2）、在设备进出线两侧逐相进行验电，不能只验一相。
    （3）、验明无电压后再把验电笔在带电设备上复核是否良好。

  • 第2题：

    三极管的三个极为（）、集电极、发射极。


    正确答案:基极

  • 第3题：

    在微库仑法测定氯盐含量中，指示一参比电极对为（）。

    • A、指示电极为铂丝电极，参比电极为铂丝和饱和碘溶液
    • B、指示电极为银电极，参比电极为甘汞电极
    • C、指示电极为银电极，参比电极为银和乙酸银饱和溶液
    • D、指示电极为铂电极，参比电比为银-氯化银电极

    正确答案:C

  • 第4题：

    P-MOSFET的应用特点和选择方法是什么？


    正确答案:P.MOSFET的栅极是绝缘的，属于电压控制器件，因而输入阻抗高，驱动功率小，电路简单。为了正确的控制P-MOSFET的开通和关断，对栅极驱动电路提出如下要求：
    1、触发脉冲的前后沿要陡峭，触发脉冲的电压幅值要高于器件的开启电压，以保证P-MOSFET的可靠触发导通。
    2、开通时以低电阻对栅极电容充电，关断时为栅极电容提供低电阻放电回路，减小栅极电容的充放电时间常数，提高P-MOSFET的开关速度。
    3、P-MOSFET开关时所需的驱动电流为栅极电容的充放电流。P-MOSFET的极间电容越大，所需的驱动电流也越大。为了使开关波形具有足够的上升和下降陡度，驱动电流要具有较大的数值。

  • 第5题：

    电解食盐水制NaOH时，电解池的电极材质应是：（）

    • A、阳、阴极皆为Pt
    • B、阳极为Cu、阴极为Fe
    • C、阳极为钛、阴极为Fe
    • D、阳极为Pt、阴极为Fe

    正确答案:C

  • 第6题：

    GTR、P-MOSFET、IGBT使用中，电流定额选择中各要注意什么？


    正确答案:GTR有二次击穿现象以及其安全工作区受各项参数影响而变化和热容量小、过流能力低等问题。功率MOSFFT是一种电压驱动器件，基本上不要求稳定的驱动电流，驱动电路只需要在器件开通时提供容性充电电流，而关断时提供放电电流即可，因此驱动电路很简单。IGBT是P-MOSFET工艺技术基础上的产物，它兼有MOSFET高输入阻抗、高速特性和GTR大电流密度特性的混合器件。它具有宽而稳定的安全工作区，较高的效率，驱动电路简单等优点。

  • 第7题：

    窃电时间无法查明时，窃电日至少以三个月计算。


    正确答案:错误

  • 第8题：

    问答题
    电捕焦送电的三个条件是什么？

    正确答案： 1）、取样化验O2＜0.4%。
    2）、高压区及防爆膜处无人。
    3）、瓷瓶保温大于80℃。
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    等电聚焦的原理下列说法不正确的是（）。
    A

    通过与阴离子去垢剂作用后，蛋白质获得负电荷，使得所有蛋白质带的电荷相等

    B

    依据蛋白质分子的净电荷或等电点进行分离的技术

    C

    利用两性电解质可以在电场中形成正极为酸性，负极为碱性的连续pH梯度

    D

    电泳迁移率与等电点有关

    E

    以固相pH梯度等电聚焦采用的介质不是两性分子


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    GTR、P-MOSFET、IGBT使用中，电流定额选择中各要注意什么？

    正确答案： GTR有二次击穿现象以及其安全工作区受各项参数影响而变化和热容量小、过流能力低等问题。功率MOSFFT是一种电压驱动器件，基本上不要求稳定的驱动电流，驱动电路只需要在器件开通时提供容性充电电流，而关断时提供放电电流即可，因此驱动电路很简单。IGBT是P-MOSFET工艺技术基础上的产物，它兼有MOSFET高输入阻抗、高速特性和GTR大电流密度特性的混合器件。它具有宽而稳定的安全工作区，较高的效率，驱动电路简单等优点。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    试述验电的三个步骤。

    正确答案： 验电的三个步骤为：
    （1）验电前应净验电笔在带电的设备上验电，证实验电笔是否良好。
    （2）在设备进出线两侧逐相进行验电，不能只验一相。
    （3）验明无电压后再把验电笔在带电设备上复核是否良好。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    P－MOSFET的三个电极为（）。
    A

    G、S、D

    B

    G、S、K

    C

    G、D、K

    D

    A、K、D


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    电渣压力焊的焊接过程包括三个阶段：引弧过程，电弧过程和电渣过程。


    正确答案:错误

  • 第14题：

    集中式用电信息采集系统统一实现（）环节电能信息数据的采集与处理，构建完善的电能数据采集与管理数据平台。

    • A、购电侧、供电侧、售电侧三个；
    • B、发电侧、供电侧、售电侧三个；
    • C、发电侧、供电侧、用电侧三个；
    • D、发电侧、输配电、用电侧。

    正确答案:A

  • 第15题：

    P-MOSFET的保护主要有工作保护和（）。


    正确答案:静电保护

  • 第16题：

    下列选项中，（）不是P-MOSFET的一般特性。

    • A、转移特性
    • B、输出特性
    • C、开关特性
    • D、欧姆定律

    正确答案:D

  • 第17题：

    试述验电的三个步骤。


    正确答案: ①验电前应将验电笔在带电的设备上复核证实验电笔是否良好。
    ②在设备进出线两侧逐相进行验电，不能只验一相。
    ③验明无电压后再把验电笔在带电设备上复核是否良好。

  • 第18题：

    电力电子器件P-MOSFET为（）器件。

    • A、电压控制型
    • B、电流控制型
    • C、单极型
    • D、双极型

    正确答案:A,C

  • 第19题：

    多选题
    电力电子器件P-MOSFET为（）器件。
    A

    电压控制型

    B

    电流控制型

    C

    单极型

    D

    双极型


    正确答案： C,D
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    填空题
    三极管的三个极为（）、集电极、发射极。

    正确答案： 基极
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    最易受邻近部位脑电活动干扰而造成活化的电极为（　　）。
    A

    B

    C

    D

    E


    正确答案： E
    解析：
    乳突电极参考电极更容易被脑电活动或心电活动激活。

  • 第22题：

    单选题
    如果一份脑电图描记中双侧有较多心电干扰，阅图时应（　　）。
    A

    以乳突参考电极为主

    B

    以耳电极为参考电极

    C

    调节高频滤波

    D

    以平均参考电极为主

    E

    降低高频滤波


    正确答案： D
    解析：

  • 第23题：

    单选题
    易造成同侧颞区脑电活动电压偏低的参考电极为（　　）。
    A

    B

    C

    D

    E


    正确答案： A
    解析：
    耳电极作为参考电极的优点是较少受躯体运动或心电活动的干扰，缺点是经常受到邻近部位脑电活动的干扰而造成耳电极活化。且耳电极距离同侧颞区记录电极的位置较近，造成颞区脑电活动的电压偏低，但以对侧耳电极作参考可解决此问题。

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