单选题某高压电气设备测量的介质损耗因数tgδ结果如下：有缺陷部分C1=250PF，tgδ1=5%；良好部分C2=10000PF，tgδ2=0.4%。两部分并联后，整体的tgδ与（）接近。A 4%B 2%C 0.5%D 0.25%

第1题：

某单位欲将功率因数值由cosφ1，提高至cosφ2，则所需装设的补偿电容器应按（）式选择

• A、Qc=P（cosφ1-cosφ2）
• B、Qc=P（cosφ2-cosφ1）
• C、Qc=P（tgφ1-tgφ2）
• D、Qc=P（tgφ2-tgφ1）

第2题：

测量非纯瓷套管的介质损耗因数tgδ和电容值时，同一绕组的套管（）。

第3题：

若设备组件之一的绝缘试验值为tgδ1＝5%，C1＝250pF；而设备其余部分绝缘试验值为tgδ2＝0.4%，C2＝10000pF，则设备整体绝缘试验时，其总的tgδ值与（）接近

• A、0.003
• B、0.005
• C、0.045
• D、0.027

第4题：

一个由两部分并联组成的绝缘，其整体的tg∮等于该两部分的tg∮1与之tg∮2和。

第5题：

某单位欲将功率因数值由COSφ1，提高至COSφ2，则所需装设的补偿电器应按（）式选择。

• A、Qc=P（COSφ1-COSφ2）
• B、Qc=P（COSφ2-COSφ1）
• C、Qc=P（tgφ1-tgφ2）
• D、Qc=P（tgφ2-tgφ1）

第6题：

现场用电桥测量介质损耗因数，出现－tgδ的主要原因：①标准电容器CN有损耗，且tgδN＞tgδx；②电场干扰；③试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响；④空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响。

第7题：

测量介质损耗正切值tgδ时出现负数现象的原因是什么？

第8题：

为什么说测量电气设备的介质损耗因数tgδ，对判断设备绝缘的优劣状况具有重要意义？

第9题：

有n个试品的介质损耗因数分别为tgδ1、tgδ2、tgδ3、……、tgδn，若将它们并联在一起测得的总tgδ值必为tgδ1、……、tgδn中的（）。

• A、最大值； 
• B、最小值； 
• C、平均值； 
• D、某介于最大值与最小值之间的值。

第10题：

用倒相法消除外电场对tgδ测量的干扰，需要先在试验电源正、反相两种极性下，测量两组数据：C1tgδ1、C2tgδ2，然后按公式（）计算出试品的实际的tgδ值。

• A、tgδ=（tgδ1+tgδ2）/2
• B、tgδ=（C1tgδ1+C2tgδ2）/（C1-C2）
• C、tgδ=（C1tgδ1+C2tgδ2）/（C1+C2）
• D、tgδ=（C2tgδ1+C1tgδ2）/（C1+C2）

第11题：

第12题：

第13题：

当设备各部分的电介质损耗用差较大时，综合的tgδ主要代表并联电介质中的（）损耗角正切值。

第14题：

测量tgδ常用QS1电桥是按（）刻度的。

• A、R4=10000/πΩ tgδ（%）=C4
• B、R4=1000/πΩ tgδ（%）=C4
• C、R4=100/πΩ tgδ（%）=C4

第15题：

介质损耗因数tg∮试验，可以发现设备绝缘整体受潮、劣化变质、以及小体积设备绝缘的某些局部缺陷。

第16题：

耦合电容器的主要参数是（）

• A、标称电容量Cb和绝缘电阻
• B、介质损耗因数tgδ和额定电压
• C、标称电容量Cb和介质损耗因数tgδ
• D、标称电容量Cb和高频等效电阻r

第17题：

介质损耗因数tgδ的含义？

第18题：

当设备各部分的介质损耗因数差别较大时，其综合的tgδ值接近于并联电介质中电容量最大部分的介质损耗数值。

第19题：

在一般情况下，介质损耗tgδ试验主要反映设备绝缘的整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏。

第20题：

一个由两部分并联组成的绝缘，其整体的tgδ等于该两部分的tgδ1与tgδ之和

第21题：

若设备组件之一的绝缘试验值为tgδ1＝5%，C1＝250pF；而设备其余部分绝缘试验值为tgδ2＝0.4%，C2＝10000pF，则设备整体绝缘试验时，其总的tgδ值与（）接近。

• A、0.3%；
• B、0.5%；
• C、4.5%；
• D、2.7%。

第22题：

关于电容型电流互感器高压介质损测量，下列说法正确的是（）。

• A、绝缘良好的设备tgδ值不随试验电压的升高而偏大，只在接近额定电压时才略微增加
• B、绝缘严重受潮的设备在较低的电压下，tgδ值就较大，随着电压的升高tgδ值增大
• C、发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时，tgδ急剧增高
• D、绝缘中含有离子型杂质的设备，tgδ随电压上升而下降

第23题：