极间电容
光电二极管
场效应管
模数转换器
非晶硒层
第1题:
关于直接转换型平板探测器结构的描述,错误的是()
第2题:
非晶硒平板探测器储存信息的元件是()
第3题:
玻璃基板
集电矩阵
非晶硒层
半导体层
顶层电极
第4题:
碘化铯闪烁体层、硒层和集点矩阵层、行驱动电路、图像信号读取电路
碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路
硒层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路
非晶硅层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路
碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、硒层和集点矩阵层、图像信号读取电路
第5题:
极间电容
光电二极管
场效应管
模数转换器
非晶硒层
第6题:
将入射的X线光子转换为可见光的是光电二极管
将可见光转换成电信号的是模/数转换器
主要分为碘化铯+非晶硅、荧光体+非晶硅两类
非晶硅平板探测器属于直接转换型平板探测器
在闪烁晶体上形成储存电荷
第7题:
非晶硒平板探测器的非晶硒层直接将X线转换成电信号
太厚的非晶硒会导致其他伪影的产生
伪影的程度取决于X线被吸收前在非晶硒内前行的距离
探测器的设计在X线捕获和电子信号之间不产生折中
图像持留时间限制了图像的采集速度,这对全自动曝光技术带来了负面效应
第8题:
碘化铯闪烁体
开关二极管
光电二极管
电容器
模数转换器
第9题:
TFT
a-Se
CsI
A/D转换器
储能电容
第10题:
TFT
a-Se
CSI
A/D转换器
储能电容
第11题:
关于间接转换型平板探测器结构的描述,错误的是()
第12题:
非晶硒平板型探测器储存信息的元件是()
第13题:
信号读出
荧光材料层和探测元阵列层的不同
A/D转换
信号输出
信号放大
第14题:
碘化铯晶体层
非晶硅TFT阵列
光电二极管
行驱动电路
表面电极
第15题:
碘化铯闪烁体
光电二极管
非晶硒
模数转换器
光电倍增管
第16题:
表面电极
基板层
光电二极管
非晶硅TFT阵列
碘化铯晶体层
第17题:
基板层
光电二极管
非晶硅TFT阵列
碘化铯晶体层
集电矩阵
第18题:
非晶硅
碘化铯
二极管
闪烁晶体
非晶硒
第19题:
保护层
碘化铯闪烁体层
非晶硅光电二极管阵列
行驱动电路
图像信号读取电路
第20题:
使用了光电导材料,能将所吸收的光子转换成电荷
典型材料为非晶硒(a-SE.
每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元
非晶硒层直接将X线转换成电信号
与非晶硅探测器的工作原理相同