判断题采用半波整流方式进行直流耐压试验时，通常应将整流硅堆的负极接至是试品高压端。A 对B 错

第1题：

产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。

A对

B错

第2题：

直流耐压试验电压为50000伏，要求高压整流硅堆的额定反峰不得低于（）。

• A、50000伏
• B、25000伏
• C、100000伏
• D、200000伏

第3题：

直流耐压试验变压器输出的电压， 经高压整流器整流后变成直流电压加在被试品上。

第4题：

产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。

第5题：

采用半波整流方式进行直流耐压试验时，通常应将整流硅堆的负极接至是试品高压端。

第6题：

直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时，高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆的额定反峰电压，其额定整流电流应大于工作电流，并有一定的裕度。

第7题：

进行直流耐压试验时，一般是将硅堆的负极接试品。

第8题：

采用半波整流方式进行直流耐压试验时，通常应将整流硅堆的负极接至试品高压端。

第9题：

进行避雷器电导电流试验时，采用硅堆整流，正极或负极接试品的效果是一样的。

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。

第14题：

产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。

第15题：

产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和（）。

• A、额定整流电流
• B、额定负荷电流
• C、额定开断电流

第16题：

产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。

第17题：

在直流耐压试验的半波整流电路中，高压硅堆的最大反向工作电压，不得低于试验电压幅值的（）。

• A、2.83倍；
• B、2倍；
• C、1倍；
• D、1.414倍。

第18题：

直流高电压试验，为了限制试品放电时的放电电流，保护（）等，高压侧接取了保护电阻器。

• A、硅堆
• B、微安表
• C、试验变压器
• D、试品

第19题：

工频高电压经高压硅堆半波整流产生的直流高电压，其脉动因数与试品直流泄漏电流的大小成反比，与滤波电容（含试品电容）及直流电压的大小成正比。

第20题：

产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后的脉动直流经（）后会减小直流电压的脉动。

• A、升压试验变压器T
• B、降压变压器
• C、滤波电容C
• D、保护电阻R

第21题：

直流耐压与直流泄漏电流试验，由于高压引线及高压输出端均曝露在空气中，要产生如下（）杂散电流。而影响测量结果的准确性.

• A、高压引线及高压端通过空气对地
• B、高压硅堆及硅堆至微安表高压引线对地
• C、屏蔽线对地
• D、高压引线输出端及加压端对邻近设备

第22题：

第23题：