PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）A、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移

题目

PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）

  • A、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散
  • B、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移
  • C、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散
  • D、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
相似考题

1.PN结两端反向偏压时、难以进行()。A、多子扩散B、少子扩散C、多子漂移D、少子漂移

2.本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移 B、空穴，自由电子；漂移，扩散 C、空穴，自由电子；扩散，漂移 D、自由电子，空穴；漂移，扩散 E、自由电子，空穴；扩散，扩散

3.PN宽度稳定后，（）。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运行达到动态平衡D、只有少数载流子的漂移运动

4.载流子从浓度大的地方向浓度小的地方运动称为()。A、漂移运动B、扩散运动

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  • 第1题：

    PN结的宽度稳定后（）。

    • A、载流子停止运动
    • B、只有多数载流子的扩散运动
    • C、扩散与漂移运动达到动态平衡

    正确答案:C

  • 第2题：

    PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。


    正确答案:错误

  • 第3题：

    漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。


    正确答案:正确

  • 第4题：

    了解PN结正向电压—电流特性；多子与少子；非平衡少数载流子注入；正向电流（电池的暗电流）及方向。


    正确答案: 特性：势垒区中的电场减小，由Vo变为（Vo-V）；势垒高度减小，由eV0变为e（Vo-V）；势垒区宽度w减小。出现非平衡载流子注入：载流子扩散电流大于漂移电流。n区中电子不断扩散到p区，p区中空穴不断扩散到n区，这种注入载流子的，为非平衡少子。正向电流：对PN结施加正向偏压V后，扩散电流大于漂移电流，导致非平衡少子注入而产生的电流。方向由p指向n。

  • 第5题：

    在平衡p-n结中，由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流，而使p-n结中的静电流为零。


    正确答案:正确

  • 第6题：

    温度升高，本征载流子浓度（）；杂质半导体中少子浓度（），多子浓度（）


    正确答案:增加；增加；基本不变

  • 第7题：

    PN结加正向电压时，其正向电流是由（）的。

    • A、多数载流子扩散形成
    • B、多数载流子漂移形成
    • C、少数载流子扩散形成
    • D、少数载流子漂移形成

    正确答案:A

  • 第8题：

    为什么PN结具有单向导电性（）。

    • A、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，正向串联在电路中时，因叠加外正电场与内电场方向一致，增强内电场作用，多数载流子顺利通过在电路中形成电流，正向导通
    • B、PN结内电场对多数载流子的扩散起阻挡作用，正向串联在电路中时，因叠加外正电场与内电场方向相反，削弱内电场阻挡作用，使多数载流子顺利通过阻挡层，在电路中形成电流，正向导通
    • C、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，反向串联在电路时，因叠加外电场与内电场方向相反，削弱内电场作用，使多数载流子受到阻挡而无法通过，从而起反向截止作用
    • D、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，反向串联在电路时，因叠加外电场与内电场方向一致，增强内电场作用，使多数载流子受到阻挡而无法通过，从而起反向截止作用

    正确答案:B,D

  • 第9题：

    单选题
    载流子的扩散运动产生扩散电流，漂移运动产生（）电流。
    A

    漂移

    B

    隧道

    C

    扩散


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    半导体受光照、外电场作用，载流子浓度就要发生变化，这时半导体处于非平衡态。光照时（）的浓度几乎不变，（）的浓度却大大增加，因而可以说，一切半导体光电器件对光的响应都是（）的行为。请选择正确的答案（）
    A

    多子---少子---少子；

    B

    少子---多子---多子；

    C

    多子---多子---多子

    D

    少子---少子---少子。


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    PN结两端加正向电压时，其正向电流是（）而成。
    A

    多子扩散

    B

    少子扩散

    C

    少子漂移

    D

    多子漂移


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。
    A

    正离子数

    B

    负离子数

    C

    质子

    D

    原子


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    半导体的界面或表面被（）产生载流子后，生成的（）和（）由于载流子的作用向相反的方向漂移，引起载流子极化，从而产生了因光照射引起的电流。


    正确答案:光照射；电子；空穴

  • 第14题：

    半导体中的漂移运动是由于载流子（）而引起的。


    正确答案:在电场的作用下

  • 第15题：

    PN结加正向电压时，其正向电流是（）。

    • A、多子扩散而成
    • B、少子扩散而成
    • C、少子漂移而成
    • D、多子漂移而成

    正确答案:A

  • 第16题：

    在外电场作用下，漂移电流主要是（）运动引起，扩散电流主要是（）运动引起。

    • A、多子，少子
    • B、少子，多子
    • C、多子，多子
    • D、少子，少子

    正确答案:B

  • 第17题：

    PN结反偏时，内电场与外电场的方向（），空间电荷区变（），有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻大，PN结处于截止状态。


    正确答案:相同；宽

  • 第18题：

    场效应管漏极电流由（）的漂移运动形成。

    • A、少子
    • B、电子
    • C、多子
    • D、两种载流子

    正确答案:C

  • 第19题：

    在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，多子（空穴）的数量＝（）＋少子（自由电子）的数量。

    • A、正离子数
    • B、负离子数
    • C、质子
    • D、原子

    正确答案:B

  • 第20题：

    载流子的扩散运动产生扩散电流，漂移运动产生（）电流。

    • A、漂移
    • B、隧道
    • C、扩散

    正确答案:A

  • 第21题：

    填空题
    PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向（），有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移。

    正确答案： 相反
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）
    A

    载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散

    B

    载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移

    C

    载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散

    D

    载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相同，有利于少子的漂移运动而不利于多子的（），这种情况下的电流称为（）。

    正确答案： 扩散,反向饱和电流
    解析： 暂无解析

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