硅管的导通电压约为0．3V。

第1题：

第2题：

二极管导通状态描述错误的是（）

• A、锗二极管的导通电压为0.3V左右
• B、硅二极管的导通电压为0.6V左右
• C、二极管导通后，其导通电流不变
• D、二极管导通后，其导通电压不变

正确答案:D

第3题：

硅三极管两端加上正向电压时（）。

• A、立即导通
• B、若超过0.3V才导通
• C、若越过死区电压就导通

正确答案:C

第4题：

晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。

正确答案:伏安；0.7V；0.3V

第5题：

晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。

正确答案:0.6～0.7；0.2～0.3；0.5；0.1

第6题：

硅二极管的导通电压值约为（），锗二极管的导通电压约为（）。

正确答案:0.6V；0.2V

第7题：

二极管当正向电压超过U_VD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。

正确答案:0.7V；0.3 V

第8题：

硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为（）伏；其门坎电压V_th约为（）伏。

正确答案:0.7；0.5

第9题：

当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。

• A、立即导通
• B、到0.3V时才开始导通
• C、超过死区电压时才开始导通
• D、不导通

正确答案:C

第10题：

硅材料二极管的死区电压为0.3V。

正确答案:正确

第11题：

第12题：

第13题：

第14题：

硅二极管两端加上正向电压时（）。

• A、立即导通
• B、若超过0.3V才导通
• C、若超过死区电才导道

正确答案:C

第15题：

晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，对于硅管约为0.7v，锗管约为0.3v。

正确答案:正确

第16题：

硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。

正确答案:0.7；0.2

第17题：

二极管两端加上正向电压时（）

• A、一定导通
• B、超过死区电压才导通
• C、超过0.7V才导通
• D、超过0.3V才导通

正确答案:B

第18题：

在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。

正确答案:0.5V；0.7V

第19题：

在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。

正确答案:0.5V；0.7V；0.1V；0.2V

第20题：

导通后二极管两端电压变小，硅管约为（）。

• A、0.5V
• B、0.7V
• C、0.3V
• D、0.1V

正确答案:B

第21题：

硅管的导通电压（）。

• A、为0.3V
• B、为0.7V
• C、约为0.7V
• D、约为0.3V

正确答案:C

第22题：

硅稳压管加正向电压超过（）电压时导通。

正确答案:死区

第23题：