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  • 第1题:

    成分过冷对晶体生长方式的影响是什么?


    正确答案: (成分过冷由弱到强)界面生长方式:
    1.平面状
    2.胞状
    3.胞状-树枝状
    4.树枝状。
    相应得到的晶体:
    1.平面柱状晶
    2.胞状晶
    3.胞状枝晶与柱状枝晶
    4.自由枝晶。

  • 第2题:

    成分过冷的判据是什么?


    正确答案: 合金一定时,主要是通过调整工艺参数,来控制G1/R值,进而改变产生成分过冷的条件,达到控制凝固过程的目的。

  • 第3题:

    过冷循环的制冷系数与无冷循环的制冷系数相比,结果是()。

    • A、相同的
    • B、过冷循环的小于无过冷循环的
    • C、过冷循环的远大于无过冷循环的
    • D、过冷循环的大于无过冷循环的

    正确答案:B

  • 第4题:

    成分过冷


    正确答案:纯金属凝固时,其理论凝固温度(Tm)不变,当液态金属实际温度低于Tm引起的过冷称为成分过冷。

  • 第5题:

    成分过冷与热过冷的联系:


    正确答案: 对于合金凝固,当出现“热过冷”的影响时,必然受“成分过冷”的影响,而且后者往往更为重要。即使液相一侧不出现负的温度梯度,由于溶质再分配引起界面前沿的溶质富集,从而导致平衡结晶温度的变化。在负温梯下,合金的情况与纯金属相似,合金固溶体结晶易于出现树枝晶形貌。

  • 第6题:

    问答题
    强成分过冷元素(表面活性元素)的选取原则有哪些?

    正确答案: ①熔点低      (液相线斜率陡,mL大)
    ②原子半径大  (液相中溶质扩散慢,DL 低)
    ③在合金中的固溶度小    (k0小)
    解析: 暂无解析

  • 第7题:

    问答题
    成分过冷的本质是什么?

    正确答案: ①成分过冷使实际过冷度降低,阻碍固液界面的推进。
    ②成分过冷使界面不稳定,不能保持平面生长。
    ③成分过冷阻止原有界面的生长,促进界面前方液相中形核。
    解析: 暂无解析

  • 第8题:

    问答题
    分别讨论“成分过冷”对单相固溶体及共晶凝固组织形貌的影响?

    正确答案: “成分过冷”对单相固溶体组织形貌的影响:随着“成分过冷”程度的增大,固溶体生长方式由无“成分过冷”时的“平面晶”依次发展为:胞状晶→柱状树枝晶→内部等轴晶(自由树枝晶)。“成分过冷”对共晶凝固组织形貌的影响:1)共晶成分的合金,在冷速较快时,不一定能得到100%的共晶组织,而是得到亚共晶或过共晶组织,甚至完全得不到共晶组织;2)有些非共晶成分的合金在冷速较快时反而得到100%的共晶组织;3)有些非共晶成分的合金,在一定的冷速下,既不出现100%的共晶组织,也不出现初晶+共晶的情况,而是出现“离异共晶”。
    解析: 暂无解析

  • 第9题:

    问答题
    何谓成分过冷,其产生原因是是么?

    正确答案: 定义:因液相中溶质成分分布不均匀导致的过冷现象;
    原因:高熔点元素更易转为固相,使固液界面前沿为凝固液相中低熔点溶质过多。
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    问答题
    何谓成分过冷?成分过冷对固溶体结晶时晶体长大方式和铸锭组织有何影响?

    正确答案: 成分过冷:
    固溶体合金在结晶时,由于选分结晶现象,溶质组元必然会重新分布,导致在固液界面前沿形成溶质的浓度梯度,造成固液界面前沿一定范围内的液相其实际温度低于平衡结晶温度,出现了一个由于成分差别引起的过冷区域。过冷度为平衡结晶温度与实际温度之差,这个过冷度是由成分变化引起的,所以称之为成分过冷。
    成分过冷对固溶体结晶时晶体长大方式和铸锭组织的影响:
    在固液界面前沿无成分过冷区域时,晶体以平面长大方式生长,长大速度完全受散热条件控制,最后形成平面状的晶粒组织;在过冷区域比较小时,固液界面上的偶然突出部分,可伸入过冷区长大,突出部分约为0.1-1mm,晶体生长是稳定的凹凸不平界面以恒速向液体中推进。这种凹凸不平的界面通常称之为胞状界面,具有胞状界面的晶粒组织称为胞状组织,因为它的显微形态很像蜂窝,所以又称为蜂窝组织,它的横截面典型形态呈规则的六变形;在过冷区域较大时,则固溶体合金的结晶条件与纯金属在负温度梯度下的结晶条件相似,在固液界面上的突出部分可以向液相中突出相当大的距离,在纵向生长的同时,又从其侧面产生突出分枝,最终发展成树枝晶组织。
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  • 第11题:

    问答题
    论述成分过冷与热过冷的涵义以及它们之间的区别和联系。

    正确答案: 成分过冷的涵义:合金在不平衡凝固时,使液固界面前沿的液相中形成溶质富集层,因富集层中各处的合金成分不同,具有不同的熔点,造成液固前沿的液相处于不同的过冷状态,这种由于液固界面前沿合金成分不同造成的过冷。热过冷的涵义:界面液相侧形成的负温度剃度,使得界面前方获得大于kT的过冷度。
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  • 第12题:

    问答题
    简要说明成分过冷的形成及其对固溶体组织形态的影响。

    正确答案: 固溶体凝固时,由于溶质原子在界面前沿液相中的分布发生变化而形成的过冷.
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    随着成分过冷由弱到强,单相合金的固/液界面生长方式依次为:平面状、胞状、()、树枝状。


    正确答案:胞状----树枝状

  • 第14题:

    简述成分过冷对晶体生长方式的影响?


    正确答案:当稍有成分过冷时为胞状生长,随着成分过冷的增大,晶体由胞状晶变为柱状晶,柱状树枝晶和自由树枝晶,无成分过冷时,以平面方式或树枝晶方式生长。

  • 第15题:

    分别讨论“成分过冷”对单相固溶体及共晶凝固组织形貌的影响?


    正确答案: “成分过冷”对单相固溶体组织形貌的影响:随着“成分过冷”程度的增大,固溶体生长方式由无“成分过冷”时的“平面晶”依次发展为:胞状晶→柱状树枝晶→内部等轴晶(自由树枝晶)。“成分过冷”对共晶凝固组织形貌的影响:1)共晶成分的合金,在冷速较快时,不一定能得到100%的共晶组织,而是得到亚共晶或过共晶组织,甚至完全得不到共晶组织;2)有些非共晶成分的合金在冷速较快时反而得到100%的共晶组织;3)有些非共晶成分的合金,在一定的冷速下,既不出现100%的共晶组织,也不出现初晶+共晶的情况,而是出现“离异共晶”。

  • 第16题:

    成分过冷的大小主要受下列因素的影响:


    正确答案: 1)液相中温度梯度GL,GL越小,越有利于成分过冷
    2)晶体生长速度R,R越大,越有利于成分过冷
    3)液相线斜率mL,mL越大,越有利于成分过冷
    4)原始成分浓度C0,C0越高,越有利于成分过冷
    5)液相中溶质扩散系数DL,DL越底,越有利于成分过冷6)平衡分配系数K0,K0<1时,K0越小,越有利于成分过冷;K0>1时,K0越大,越有利于成分过冷。

  • 第17题:

    填空题
    分过冷降低了实际过冷度,阻碍了晶体的生长。凡是溶质富集的地方,那里成分过冷就越大,其过冷度就越小,该处生长就()。

    正确答案: 越慢
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  • 第18题:

    单选题
    “成分过冷”原则是由()首先提出的。  ①W·Kurz ②M.C.Flemings ③B.Chalmers
    A

    B

    C


    正确答案: C
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  • 第19题:

    问答题
    简述成分过冷对晶体生长方式的影响?

    正确答案: 当稍有成分过冷时为胞状生长,随着成分过冷的增大,晶体由胞状晶变为柱状晶,柱状树枝晶和自由树枝晶,无成分过冷时,以平面方式或树枝晶方式生长。
    解析: 暂无解析

  • 第20题:

    问答题
    简述热过冷与成分过冷。

    正确答案: 热过冷与成分过冷:只有当界面液相一侧形成负温度梯度时,才能在纯金属晶体界面前方熔体内获得过冷。这种仅由熔体实际温度分布所决定的过冷状态称为热过冷。由溶质再分配导致界面前方熔体成分及其凝固温度发生变化而引起的过冷称为成分过冷。热过冷与成分过冷之间的根本*区别是前者仅受传热过程控制,后者则同时受传热过程和传质过程制约。在晶体生长过程中,界面前方的热过冷只不过是成分过冷在 Co=0 时的一个特例而已,两者在本质上是一致的。它们对晶体生长过程的影响也相同。
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  • 第21题:

    判断题
    大的成分过冷及强形核能力的形核剂有利于等轴晶的形成。
    A

    B


    正确答案:
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  • 第22题:

    填空题
    成分过冷的过冷度在生长着的固-液界面处最小,离开界面逐渐(),因此界面很不稳定。

    正确答案: 增大
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    问答题
    成分过冷与热过冷的区别:

    正确答案: 热过冷是由于液体具有较大的过冷度时,在界面向前推移的情况下,结晶潜热的释放而产生的负温度梯度所形成的。可出现在纯金属或合金的凝固过程中,一般都生成树枝晶。成分过冷是由溶质富集所产生,只能出现在合金的凝固过程中,其产生的晶体形貌随成分过冷程度的不同而不同,当过冷程度增大时,固溶体
    22生长方式由无成分过冷时的“平面晶”依次发展为:胞状晶→柱状树枝晶→内部等轴晶(自由树枝晶)。
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  • 第24题:

    问答题
    成分过冷对晶体生长方式的影响是什么?

    正确答案: (成分过冷由弱到强)界面生长方式:
    1.平面状
    2.胞状
    3.胞状-树枝状
    4.树枝状。
    相应得到的晶体:
    1.平面柱状晶
    2.胞状晶
    3.胞状枝晶与柱状枝晶
    4.自由枝晶。
    解析: 暂无解析