下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。A、硼B、锡C、锑D、磷E、砷

题目

下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。

  • A、硼
  • B、锡
  • C、锑
  • D、磷
  • E、砷
相似考题

1.对于锗和硅半导体来说,最常用的一类杂质是()、()和()等元素。元素加入后,半导体变成n型半导体了。

2.下列杂质元素中,对钢的性能有利的是()。A、锰B、硅C、硫D、磷E、氧

3.下列杂质中,属于一般杂质的有A.氯化物B.硫酸盐C.铁盐D.砷盐下列杂质中，属于一般杂质的有A.氯化物B.硫酸盐C.铁盐D.砷盐E.重金属

4.什么是杂质和杂质限量?杂质限量通常用什么表示?

更多“下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。A、硼B、锡C、锑D、磷E、砷”相关问题

  • 第1题：

    半导体硅常用的施主杂质是（）。

    • A、锡
    • B、硫
    • C、硼
    • D、磷

    正确答案:D

  • 第2题：

    对于锗和硅半导体来说，最常用的另一类杂质是（）、（）和（）等元素。这些元素加入后，半导体变成P型半导体了。


    正确答案:铟；铝；镓

  • 第3题：

    判断乙炔气中硫.磷等杂质清除效果的常用手段是（）


    正确答案:用硝酸银试纸检验变色情况

  • 第4题：

    下列材料属于N型半导体是（）。

    • A、硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）
    • B、硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）
    • C、砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）
    • D、砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁

    正确答案:A,C

  • 第5题：

    化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。

    • A、锡
    • B、硼
    • C、磷
    • D、锰

    正确答案:A

  • 第6题：

    对于碳素结构钢，有害杂质元素是（）

    • A、硫
    • B、硅
    • C、锰
    • D、硼

    正确答案:A

  • 第7题：

    在本征半导体中掺入微量的磷、锑、砷（）杂质时的半导体，称为（）。


    正确答案:5价元素；N型半导体

  • 第8题：

    单选题
    如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。
    A

    施主

    B

    受主

    C

    复合中心

    D

    两性杂质


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    施主杂质和受主杂质的含义是什么？

    正确答案： 在晶体中电离时能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质为施主杂质；
    在晶体中电离时能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心的杂质为受主杂质。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些（）      ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数  ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数  ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度  ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度
    A

    ②④

    B

    ①③

    C

    ①④

    D

    ②③


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    （）和（）是半导体器件的最常用掺杂方法。（）、（）是Si常用的施主杂质；（）是Si常用的受主杂质；（）是GaAs常用的P型掺杂剂；（）是GaAs常用的N型掺杂剂。

    正确答案： 热扩散,离子注入,P,As,B,Zn,Si
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

    正确答案： 间隙式扩散机制,替代式扩散机制,激活杂质后
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    对于锗和硅半导体来说，最常用的一类杂质是（）、（）和（）等元素。这些元素加入后，半导体变成N型半导体了。


    正确答案:锑；磷；砷

  • 第14题：

    PN结空间电荷区是（）。

    • A、电子和空穴构成；
    • B、正电荷和负电荷构成；
    • C、施主离子；
    • D、施主杂质原子和受主杂质原子构成。

    正确答案:B

  • 第15题：

    在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）


    正确答案:恒定表面源扩散

  • 第16题：

    半导体硅常用的受主杂质是（）。

    • A、锡
    • B、硫
    • C、硼
    • D、磷

    正确答案:C

  • 第17题：

    霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件，常用（）及锑化铟等半导体材料制成。

    • A、锗
    • B、硅
    • C、砷化镓
    • D、砷化铟

    正确答案:A,B,C,D

  • 第18题：

    根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）

    • A、 温度越高，掺杂越快
    • B、 温度越低，掺杂越快
    • C、 温度恒定，掺杂最快
    • D、 掺杂快慢与温度无关

    正确答案:A

  • 第19题：

    在半导体中掺入施主杂质，其将成为N型半导体。


    正确答案:正确

  • 第20题：

    填空题
    SiO2-Si界面的杂质分凝：（）过程中，（）在两种材料中重新分布，（）吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、As）。

    正确答案： 高温,杂质,氧化硅
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    施主杂质和受主杂质之间有相互抵消作用，通常称为（）
    A

    杂质电离

    B

    杂质补偿

    C

    载流子复合

    D

    载流子迁移


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    杂质在硅中的扩散方式有哪些？

    正确答案： 恒定表面源扩散和限定表面源扩散
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？

    正确答案： 当半导体中掺入施主杂质后，在其导带底的下方，距离导带底很近的范围内可以引入局域化的量子态能级。该能级位于禁带中，称之为施主杂质能级。
    当半导体中掺入受主杂质后，在其价带顶的上方，距离价带顶很近的范围内也可引入局域化的受主杂质能级。
    施主能级距离导带底很近，施主杂质电离后，施主能级上的电子跃迁进入导带，其结果向导带提供传导电流的准自由电子；而受主能级距离价带顶很近，受主杂质电离后，价带顶的电子跃迁进入受主能级，其结果向价带提供传导电流的空穴。
    解析： 暂无解析

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