超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。A、高分辨率B、高灵敏度C、精密的套刻对准D、大尺寸E、低缺陷

题目

超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。

  • A、高分辨率
  • B、高灵敏度
  • C、精密的套刻对准
  • D、大尺寸
  • E、低缺陷
相似考题

1.对生物样品检测方法的要求，下面哪种说法是正确的A、高灵敏度、高精密度B、高专属性、高灵敏度C、高准确度、高专属性D、高稳定性、高准确度E、高专属性、高精密度

2.用游标卡尺测量时,尺寸的整数部分是()。A、副尺“0”线对应主尺左边第一条刻线尺寸B、副尺“0”线对应主尺右边第一条刻线尺寸C、主尺、副尺对准刻线主尺左边尺寸D、主尺、副尺对准刻线主尺右边尺寸

3.尺寸公差的要求()。A.做到绝对准确的要求的尺寸B.要求的尺寸允许变化的范围。C.只要得到的实际尺寸，在允许的变化范围内D.尺寸是合格的、能满足使用要求的

4.下列切削加工中属于超精密加工的是( )。A.金刚石超精密车削B.光刻加工C.超声研磨D.激光加工

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  • 第1题：

    LIGA (光刻)工艺制造微电子芯片属于精密特种加工。()

    此题为判断题(对，错)。


    答案：是

  • 第2题：

    闸板防喷器封闭不严的应检查（）。

    • A、闸板前端是否有硬东西卡住
    • B、两块闸板尺寸是否与所封钻具（管柱）尺寸一致
    • C、花键套、滑套是否卡死
    • D、两闸板封闭处钻具有无缺陷（如不圆）
    • E、胶芯是否老化
    • F、检控压力是否低

    正确答案:A,B,C,D,E,F

  • 第3题：

    解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？


    正确答案:光刻胶选择比是指显影液与曝光的光刻胶反应的速度快慢，选择比越高，反应速度越快，所以要比例高。

  • 第4题：

    试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。


    正确答案:在4次光刻中，第二次光刻有源岛和第三次光刻的源漏电极合为一次光刻，为4次光刻的第二次光刻，光刻次数减少，但工艺难度大大增大。
    第二次光刻的工艺流程概括为：连续沉积薄膜→涂胶→多段式调整掩膜版曝光→显影→湿法刻蚀→干法刻蚀及灰化→再湿刻和再干法刻蚀。

  • 第5题：

    滑动轴承一般用于（）的场合。

    • A、转速特别高
    • B、冲击、振动大
    • C、要求特别精密
    • D、径向尺寸大
    • E、工艺要求轴承剖分

    正确答案:A,B,C,E

  • 第6题：

    精密注射成型的主要的工艺特点有哪些？精密注射成型工艺对注射机以及注射模的设计有什么要求？


    正确答案: 精密注射成型的主要的工艺特点是注射压力大，注射速度快和温度控制必须精确。精密注射成型工艺对注射机以及注射模的设计的要求：
    （1）注射功率大；
    （2）控制精度高；
    （3）液压系统的反应速度要快；
    （4）合模系统要有足够的刚性。

  • 第7题：

    精密水准仪用较高灵敏度的水准器，建立精密的水平视线。


    正确答案:错误

  • 第8题：

    问答题
    PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？

    正确答案： 需要六次光刻
    第一次—N+隐埋层扩散孔光刻；
    第二次—P+隔离扩散孔光刻；
    第三次—P型基区扩散孔光刻；
    第四次—N+发射区扩散孔光刻；
    第五次—引线接触孔光刻；
    第六次—金属化内连线光刻。
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    判断题
    最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    光刻工艺包括哪些工艺？

    正确答案： 底膜处理、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶、检验
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。

    正确答案： 光刻加工技术就是用光刻加工方法，刻蚀出规定的图形的技术。
    光刻加工是用照相复印的方法将光刻掩膜上的图形印制在涂有光致抗蚀剂（光刻胶）的
    薄膜或基材表面，然后进行选择性腐蚀，刻蚀出规定的图形。
    工艺流程是：涂胶、曝光、显影、坚膜、腐蚀及去胶。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    多选题
    以下属于光刻工艺的为：（）。
    A

    光刻胶涂覆

    B

    曝光

    C

    显影

    D

    腐蚀


    正确答案： C,B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    B型超声诊断仪制造工艺采用（）

    • A、光刻
    • B、声刻
    • C、雕刻
    • D、透镜

    正确答案:A

  • 第14题：

    什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？


    正确答案: 光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。
    对光刻工艺质量的基本要求是：刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整齐、线条陡直；图片内无小岛、不染色、腐蚀干净；图形套合十分准确；介质膜或金属膜上无针孔；硅片表面清洁、不发花、无残留的被腐蚀物质。

  • 第15题：

    光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）


    正确答案:错误

  • 第16题：

    钢坯生产工艺缺陷有几何形状不正，尺寸公差不合，扭转和弯曲以及一些表面缺陷。


    正确答案:正确

  • 第17题：

    大型精密箱体工件加工的主要工艺特征是（）。

    • A、外形尺寸大
    • B、形状复杂
    • C、加工个工作量大，加工困难
    • D、加工尺寸精度要求高
    • E、各加工表面形位公差要求高
    • F、加上表面要充分消除内应力，以减少加工变形

    正确答案:A,B,C

  • 第18题：

    下列切削加工中属于超精密加工的是（）。

    • A、金刚石超精密车削
    • B、光刻加工
    • C、超声研磨
    • D、激光加工

    正确答案:A,B,C

  • 第19题：

    晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。

    • A、除去光刻胶中剩余的溶剂
    • B、增强光刻胶对晶片表面的附着力
    • C、提高光刻胶的抗刻蚀能力
    • D、有利于以后的去胶工序
    • E、减少光刻胶的缺陷

    正确答案:A,B,C,E

  • 第20题：

    问答题
    光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？

    正确答案： 光刻的工艺流程共分7步：（1）涂胶，（2）前烘，（3）曝光，（4）显影，（5）坚膜（6）刻蚀，（7）去胶。分辨率是指线条和间隔清晰可辨时每mm中的线对数。从物理的角度看，限制分辨率的因素是衍射。最长用的曝光光源是紫外光。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    常见的光刻对准曝光设备有？

    正确答案： 接触式光刻机；接近式光刻机；扫描投影光刻机；分步重复投影光刻机；步进扫描光刻机。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    光学光刻机的主要曝光光线的是波长为（）的g线和（）的i线，适合1微米以上特征尺寸的光刻。常用（）的KrF和（）的ArF准分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。

    正确答案： 436nm,365nm,248nm,193nm
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    光刻工艺的主要工序有：（）组成。

    正确答案： 涂胶、前烘、对位、曝光、显影、坚膜、介质刻蚀、去胶
    解析： 暂无解析

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