霍尔片式压力传感器的霍尔电势的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。
题目
霍尔片式压力传感器的霍尔电势的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。
相似考题
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第1题：
电气式压力变送器由压力传感器和转换器两部分组成，而压力传感器又可分为（）。
- A、霍尔片式压力传感器和活塞式压力传感器
- B、霍尔片式压力传感器和电接点式压力传感器
- C、霍尔片式压力传感器、液压片式压力传感器和应变片式压力传感器
- D、霍尔片式压力传感器、应变片式压力传感器、压阻式压力传感器和电容式压力传感器
正确答案:D -
第2题：
霍尔压力变送器的霍尔元件由半导体材料制成，因此它的性能参数如输入和输出电阻、霍尔常数等也随温度而变化，致使（）变化，产生温度误差。
- A、输出电流
- B、输出电压
- C、霍尔电势
- D、霍尔电位
正确答案:C -
第3题：
霍尔片式压力传感器产生的霍尔电势E，其大小与（）所通过的控制电路I和磁感应强度B成正比。
- A、半导体材料
- B、霍尔片的几何尺寸
- C、所加电压的频率
- D、磁场方向
正确答案:A,B -
第4题：
在霍尔效应中，霍尔电压的大小：（）
- A、与励磁电流无关
- B、与霍尔片上的工作电流的大小成正比
- C、与外加磁场的磁感应强度的大小成反比
- D、与霍尔材料的性质无关
正确答案:B -
第5题：
关于霍尔电势下列说法正确的是（）。
- A、霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度
- B、霍尔电势的灵敏度与霍尔常数R成正比
- C、霍尔电势与霍尔元件的厚度d成反比
- D、以上说法都对
正确答案:D -
第6题：
什么叫霍尔效应、霍尔电势和霍尔元件？霍尔元件采用何种材料？由什么组成？霍尔元件能够测量哪些物理参数？霍尔元件的不等位电势的概念是什么？温度补偿的方法有哪几种？
正确答案:金属或半导体薄片置于磁场中，沿着垂直于磁场的方向通以电流，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应，所产生的电动势称为霍尔电势。基于霍尔效应工作的半导体器件称为霍尔元件，霍尔元件多采用N型半导体材料。霍尔元件由霍尔片、四根引线和壳体组成。霍尔片是一块半导体单晶薄片（一般为4×2×0.1mm3），在它的长度方向两端面上焊有a、b两根引线，称为控制电流端引线，通常用红色导线，其焊接处称为控制电极；在它的另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有c、d两根霍尔输出引线，通常用绿色导线，其焊接处称为霍尔电极。霍尔元件的壳体是用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装。
霍尔元件可测量磁场、电流、位移、压力、振动、转速等。
霍尔组件的不等位电势是霍尔组件在额定控制电流作用下，在无外加磁场时，两输出电极之间的空载电势，可用输出的电压表示。
温度补偿方法有分流电阻法和电桥补偿法。 -
第7题：
金属材料的霍尔效应比半导体材料的霍尔效应强。
正确答案:错误 -
第8题：
什么是霍尔效应？霍尔电势的大小与方向和哪些因素有关？影响霍尔电势的因素有哪些？
正确答案: 当把一块金属或半导体薄片垂直放在磁感应强度为B的磁场中，沿着垂直于磁场方向通过电流，就会在薄片的另一对侧面间产生电动势UH，这种现象称为霍尔效应，所产生的电动势称为霍尔电动势。
霍尔电动势的大小正比于激励电流Ic与磁感应强度B，且当Ic或B的方向改变时，霍尔电动势UH的方向也随着改变，但当Ic和的B方向同时改变时霍尔电动势UH极性不变。
影响因素：电流的大小，载流子浓度，电子速度，薄片面积。 -
第9题：
什么是霍尔电势？霍尔电势与哪些因素有关？
正确答案: 当一块半导体薄片置于磁场中有电流流过时，电子将受到洛伦兹力的作用而发生偏转，在半导体薄片的另外两端将产生霍尔电动势。
因素：控制电流、磁感应强度、薄片的厚度、半导体材料中的电子浓度 -
第10题：
单选题霍尔效应中，霍尔电势与（）A霍尔常数成正比
B霍尔常数成反比
C霍尔元件的厚度成正比
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题什么是霍尔电势？霍尔电势与哪些因素有关？正确答案： 当一块半导体薄片置于磁场中有电流流过时，电子将受到洛伦兹力的作用而发生偏转，在半导体薄片的另外两端将产生霍尔电动势。
因素：控制电流、磁感应强度、薄片的厚度、半导体材料中的电子浓度解析： 暂无解析 -
第12题：
填空题霍尔传感器的霍尔电势UH为（）若改变（）或（）就能得到变化的霍尔电势。正确答案： KHIB,I,B解析： 暂无解析 -
第13题：
霍尔片式压力传感器是利用霍尔元件将由压力所引起的弹性元件的（）转换成霍尔电势，从而实现压力测量。
- A、变形
- B、弹力
- C、电势
- D、位移
正确答案:D -
第14题：
霍尔片式压力传感器的霍尔电势Eh的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。
正确答案:错误 -
第15题：
霍尔电势的大小正比于（）和（）。对霍尔元件可采用（）驱动和（）驱动。
正确答案:控制电流；磁感应强度；恒流；恒压 -
第16题：
用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时，霍尔电压的大小：（）
- A、与霍尔材料的性质无关
- B、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比
- C、与霍尔片上的工作电流Is的大小成反比
- D、与霍尔片的厚度d成正比
正确答案:B -
第17题：
半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的霍尔效应。
正确答案:错误 -
第18题：
霍尔电压大小与霍尔元件的尺寸有关。
正确答案:正确 -
第19题：
什么是霍尔效应？霍尔电势的大小与方向和哪些因素有关？霍尔元件常采用什么材料？为什么？
正确答案: 通电的导体放在磁场中，电流方向与磁场方向垂直，在导体另外两侧会产生感应电动势，这种现象称为霍尔效应。
与输入电流I，磁感应强度B，霍尔元件的灵敏度系数KB有关。EB=KBIB 霍尔元件常采用半导体材料，因为半导体材料的电子迁移率μ和载流子浓度n适中。一般采用N型半导体。 -
第20题：
霍尔元件不等位电势产生的主要原因不包括（）
- A、霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上
- B、半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
- C、周围环境温度变化
- D、激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配
正确答案:C -
第21题：
单选题在霍尔式压力传感器中，不影响霍尔系数大小的参数是（ ）。[2007年真题]A霍尔片的厚度
B霍尔元件材料的电阻率
C材料的载流子迁移率
D霍尔元件所处的环境温度
正确答案： D解析：
霍尔式压力传感器原理公式为：UH＝RHIB/δ。式中，RH为霍尔系数；I为电流；B为霍尔片的宽度；δ为霍尔片的厚度。霍尔系数为霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积，即RH＝μρ，表示霍尔效应的强弱，因此霍尔系数受霍尔元件材料的电阻率和材料的载流子迁移率的影响；半导体的载流子浓度与温度有关，故半导体的霍尔系数也受温度的影响。A项，霍尔片的厚度δ影响霍尔电压。 -
第22题：
填空题霍尔电势的大小正比于（）和（）。对霍尔元件可采用（）驱动和（）驱动。正确答案： 控制电流,磁感应强度,恒流,恒压解析： 暂无解析 -
第23题：
单选题下列关于霍尔效应描述中，正确的是（）。A霍尔系数的大小反映了霍尔效应的强弱，由材料的物理性质决定
B霍尔系数越大，霍尔电势越小
C霍尔元件的厚度越大，霍尔电势越大
D磁场的磁感应强度越大，霍尔电势越小
正确答案： C解析： 暂无解析