集成度是标志集成电路水平的指标之一。

题目

集成度是标志集成电路水平的指标之一。

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1.决定微处理器性能优劣的重要指标之一是()A、集成度B、计算精度C、外频速度D、主频速度

2.集成电路的集成度与组成逻辑门电路的晶体管尺寸有关,尺寸越小,集成度越高()。此题为判断题(对，错)。

3.集成电路的发展趋势是()。A、高集成度B、低功耗C、高可靠性D、智能化

4.标志集成电路设计和制造水平的最重要的指标是什么?

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  • 第1题：

    按集成度划分，半导体存储器是属于（）。

    • A、小规模集成电路
    • B、中规模集成电路
    • C、大规模集成电路
    • D、超大规模集成电路

    正确答案:C

  • 第2题：

    集成电路正确的分类方法是（）。

    • A、按用途
    • B、按功能
    • C、按导电类型
    • D、按制造工艺
    • E、按集成度

    正确答案:B,C,D,E

  • 第3题：

    集成电路的集成度是指单块芯片上所容纳的元件数目。如目前已批量生产的64Ｍ集成电路，集成度为64Ｍ，粗略地讲，这种单块芯片上集成有多少个元件（）

    • A、6000万
    • B、5000万
    • C、7000万

    正确答案:A

  • 第4题：

    集成电路按照集成度划分可以分为（）。

    • A、小规模基础的路
    • B、大规模集成电路
    • C、中规模集成电路
    • D、超大规模集成电路

    正确答案:A,B,C

  • 第5题：

    （）是标志集成电路水平的一项重要指标，即指在一定面积的硅片上所集成的晶体管元件的（）。


    正确答案:集成度；数量

  • 第6题：

    大规模集成电路是集成度在（）电子元件的集成电路；超大规模集成电路一般指集成度达（）电子元件的集成电路。

    • A、1000左右，1万个左右
    • B、3000-10万，10万-100万
    • C、100-5000，5000-1万
    • D、500-5万，5万-50万

    正确答案:B

  • 第7题：

    按照芯片的集成度不同，集成电路可分为：（）、（）、（）、（）和（）


    正确答案:小规模；中规模；大规模；超大规模；甚大规模

  • 第8题：

    判断题
    微电子技术的核心是集成电路，中央处理器是集成电路的标志性产品之一。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    判断题
    集成度与线宽有对应关系，即集成度越高，线宽越小，所以，线宽也常用来表示集成电路制度技术水平的高低。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    多选题
    集成电路按照集成度划分可以分为（）。
    A

    小规模基础的路

    B

    大规模集成电路

    C

    中规模集成电路

    D

    超大规模集成电路


    正确答案： D,A
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    简述微电子、集成电路、集成度、场区、有源区、阱、外延。

    正确答案： 微电子：微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术，微电子技术是微电子学中的各项工艺技术的总和。微电子学是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小型化电路、电路及微电子系统的电子学分支。
    集成电路：通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能。
    集成度：集成电路的集成度是指单块芯片上所容纳的元件数目。集成度越高，所容纳的元件数目越多。
    场区：在微电子学中，场区是指一种很厚的氧化层，位于芯片上不做晶体管、电极接触的区域，可以起到隔离晶体管的作用。
    有源区和场区是互补的，晶体管做在有源区处，金属和多晶硅连线多做在场区上。
    有源区：硅片上做有源器件的区域。（就是有些阱区。或者说是采用STI等隔离技术，隔离开的区域）。业内通俗的把有后续杂质注入的地方就都叫做有源区。
    阱：CMOS集成电路制造的过程中制备的第一层。
    如果在N型衬底上扩散P型区，就叫做P阱区；如果在P型衬底上扩散N型区，就叫做N阱区；
    外延：外延是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中，硅片最底层是P型衬底硅（有的加点埋层）；在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段，称外延层。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    多选题
    按集成度的不同可以把集成电路分为（），
    A

    小规模集成电路（SSI）

    B

    中规模集成电路（MSI）

    C

    大规模集成电路（LSI）

    D

    超大规模集成电路（VLSI0）


    正确答案： C,B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    集成电路产业中用来衡量技术发展水平的标准为（）

    • A、创新度
    • B、可应用性
    • C、集成度
    • D、市场价值

    正确答案:C

  • 第14题：

    下列说法错误的是（）

    • A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路
    • B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路
    • C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高
    • D、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低
    • E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较高

    正确答案:A,C,D

  • 第15题：

    集成度与线宽有对应关系，即集成度越高，线宽越小，所以，线宽也常用来表示集成电路制度技术水平的高低。


    正确答案:正确

  • 第16题：

    目前，衡量微电子技术发展水平高低的标志是（）

    • A、制造工艺
    • B、集成度大小
    • C、计算机水平
    • D、原材料质量

    正确答案:B

  • 第17题：

    下列有关Moore定律正确叙述的是（）。

    • A、单块集成电路的集成度平均每8~14个月翻一番
    • B、单块集成电路的集成度平均每18~24个月翻一番
    • C、单块集成电路的集成度平均每28~34个月翻一番
    • D、单块集成电路的集成度平均每38~44个月翻一番

    正确答案:B

  • 第18题：

    集成电路按集成度可分为（）。

    • A、中小规模集成电路
    • B、小规模集成电路
    • C、高规模集成电路
    • D、中规模集成电路
    • E、超大规模集成电路

    正确答案:B,D,E

  • 第19题：

    按集成度的不同可以把集成电路分为（），

    • A、小规模集成电路（SSI）
    • B、中规模集成电路（MSI）
    • C、大规模集成电路（LSI）
    • D、超大规模集成电路（VLSI0）

    正确答案:A,B,C,D

  • 第20题：

    填空题
    集成电路的特征尺寸是衡量集成电路加工工艺水平和（）的主要指标。

    正确答案： 设计水平
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    解释基本概念：集成电路、集成度、特征尺寸。

    正确答案： A.集成电路（IC://integrated circuit）是指通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能的集成块。
    B.集成度是指在每个芯片中包含的元器件的数目。
    C.特征尺寸是代表工艺光刻条件所能达到的最小栅长（L）尺寸。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    下列有关Moore定律正确叙述的是（）。
    A

    单块集成电路的集成度平均每8~14个月翻一番

    B

    单块集成电路的集成度平均每18~24个月翻一番

    C

    单块集成电路的集成度平均每28~34个月翻一番

    D

    单块集成电路的集成度平均每38~44个月翻一番


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    大规模集成电路是集成度在（）电子元件的集成电路；超大规模集成电路一般指集成度达（）电子元件的集成电路。
    A

    1000左右，1万个左右

    B

    3000-10万，10万-100万

    C

    100-5000，5000-1万

    D

    500-5万，5万-50万


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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