晶体管分为三层分别为（）A、发射区B、放大区C、集电区D、基区E、扩张区

题目

晶体管分为三层分别为（）

  • A、发射区
  • B、放大区
  • C、集电区
  • D、基区
  • E、扩张区
相似考题

1.晶体管的发射区的作用是向基区发射自由电子,集电区的作用是收集这些自由电子。()此题为判断题(对，错)。

2.关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积

3.NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。

4.三极管哪个区的掺杂浓度最高()A、基区B、发射区C、集电区D、不确定

参考答案和解析
正确答案:A,C,E
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  • 第1题：

    晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。()

    此题为判断题(对，错)。


    参考答案：对

  • 第2题：

    PNP三极管工作特点是（）.

    • A、发射区发射电子，集电区收集电子
    • B、发射区发射空穴，集电区收集电子
    • C、发射区发射电子，集电区收集空穴
    • D、发射区发射空穴，集电区收集空穴

    正确答案:D

  • 第3题：

    晶体管包含三个区：集电区，（）和发射区。


    正确答案:基区

  • 第4题：

    晶体管的内部结构分为三个区，即发射区、基区和集电区；两个结为发射和集电结。


    正确答案:正确

  • 第5题：

    晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。

    • A、基区
    • B、发射区
    • C、集电区
    • D、发射区和集电区

    正确答案:A

  • 第6题：

    叙述晶体三极管电流的传输过程（）。

    • A、发射区向基区注入载流子过程
    • B、少数载流子，在基区扩散与复合过程
    • C、集电区收集载流子的过程
    • D、基区向发射区注入载流子过程

    正确答案:A,B,C

  • 第7题：

    晶体三极管从结构上划分，有如下：（）。

    • A、发射区
    • B、基区
    • C、集电区
    • D、放大区

    正确答案:A,B,C

  • 第8题：

    三极管是由三层半导体材料组成的，有三个区域，中间的一层为（）

    • A、基区
    • B、栅区
    • C、集电区
    • D、发射区

    正确答案:A

  • 第9题：

    半导体三极管工作过程中（）。

    • A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；
    • B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；
    • C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；
    • D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。

    正确答案:A

  • 第10题：

    三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。


    正确答案:错误

  • 第11题：

    单选题
    晶体管是由单层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为（）。
    A

    基区

    B

    栅区

    C

    集电区

    D

    发射区


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    晶体管包含三个区：集电区，（）和发射区。

    正确答案： 基区
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    晶体管的内部结构分为三个区,即发射区、基区和集电区;两个结为发射和集电结。()

    此题为判断题(对，错)。


    参考答案：正确

  • 第14题：

    体管分为三层分别为：发射区、基区和（）。

    • A、集电区
    • B、收集区
    • C、放大区
    • D、扩张区

    正确答案:A

  • 第15题：

    在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。

    • A、基区
    • B、集电区
    • C、发射区
    • D、饱和区

    正确答案:C

  • 第16题：

    晶体三极管是由（）个PN结组成，分成基区、发射区、集电区.


    正确答案:两

  • 第17题：

    下列关于晶体三极管说法证确的是（）。

    • A、发射区与基区交界处的PN结为发射结
    • B、基区与集电区交界处的PN结为发射结
    • C、发射区与基区交界处的PN结为集电结
    • D、发射区与集电区交界处的PN结为集电结

    正确答案:A

  • 第18题：

    造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。（）

    • A、基区电导调制效应，发射区有偏压效应
    • B、基区有偏压效应，发射区电导调制效应
    • C、基区电导调制效应，基区有偏压效应
    • D、发射区有偏压效应，基区有偏压效应

    正确答案:C

  • 第19题：

    晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。


    正确答案:错误

  • 第20题：

    三极管最薄的区是（）。

    • A、发射区
    • B、集电区
    • C、基区

    正确答案:C

  • 第21题：

    三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。

    • A、集中结
    • B、集成结
    • C、集电结
    • D、集合结

    正确答案:C

  • 第22题：

    三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射结和（）。

    • A、集中结
    • B、集成结
    • C、集电结

    正确答案:C

  • 第23题：

    填空题
    晶体三极管是由（）个PN结组成，分成基区、发射区、集电区.

    正确答案： 两
    解析： 暂无解析

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