在常温常压下,锗二极管的正向导通压降约为()。
第1题:
发光二极管正常工作时的正向压降大约为()
第2题:
LED灯的工作压降约为()。
第3题:
在常温常压下,硅二极管的正向导通压降约为()。
第4题:
二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()
第5题:
半导体二极管具有显著的单向导电性,外加正向电压时,锗二极管的死区电压一般为()。
第6题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()
第7题:
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
第8题:
标准TTL门关门电平Uoff之值为()。
第9题:
在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。
第10题:
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
第11题:
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。
第12题:
0.1
0.3
0.5
0.7
第13题:
小电流硅二极管的死区电压约为(),正向压约为0.7V。
第14题:
常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。
第15题:
二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。
第16题:
锗二极管的压降比硅二极管的要小,理论上锗二极管是0.3V,硅二极管是()。
第17题:
锗二极管正向导通电压应为()。
第18题:
硅二极管的正向导通压降约为()
第19题:
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第20题:
在常温下,硅二极管的开启电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
第21题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()
第22题:
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
第23题: