在常温常压下,锗二极管的正向导通压降约为()。A、0.1~0.3VB、0.4~0.5VC、0.6~0.8VD、0.9~1.0V

题目

在常温常压下,锗二极管的正向导通压降约为()。

  • A、0.1~0.3V
  • B、0.4~0.5V
  • C、0.6~0.8V
  • D、0.9~1.0V

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  • 第1题:

    发光二极管正常工作时的正向压降大约为()

    • A、0.2~0.3V
    • B、0.6~0.7V
    • C、1.5~3V
    • D、0.1~1V

    正确答案:C

  • 第2题:

    LED灯的工作压降约为()。

    • A、0.1~0.3V
    • B、0.6~0.8V
    • C、0.9~1.0V
    • D、1~3V

    正确答案:D

  • 第3题:

    在常温常压下,硅二极管的正向导通压降约为()。

    • A、0.1~0.3V
    • B、0.4~0.5V
    • C、0.6~0.8V
    • D、0.9~1.0V

    正确答案:C

  • 第4题:

    二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()


    正确答案:0.6~0.8V;0.2~0.4V

  • 第5题:

    半导体二极管具有显著的单向导电性,外加正向电压时,锗二极管的死区电压一般为()。

    • A、0.1~0.3V
    • B、0.3~0.5V
    • C、0.5~0.7V
    • D、0.7~0.8V

    正确答案:A

  • 第6题:

    硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()


    正确答案:正确

  • 第7题:

    常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。


    正确答案:0.6(或0.7);0.2(或0.3)

  • 第8题:

    标准TTL门关门电平Uoff之值为()。

    • A、0.3V
    • B、0.5V
    • C、0.8v
    • D、1.2V

    正确答案:C

  • 第9题:

    在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。


    正确答案:0.5V;0.7V;0.1V;0.2V

  • 第10题:

    二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。


    正确答案:0.7V;0.3 V

  • 第11题:

    普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。


    正确答案:0.6~0.8;0.7;0.2~0.3;0.2;1~2.5

  • 第12题:

    单选题
    常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。
    A

    0.1

    B

    0.3

    C

    0.5

    D

    0.7


    正确答案: D
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    小电流硅二极管的死区电压约为(),正向压约为0.7V。

    • A、0.4V
    • B、0.5V
    • C、0.6V
    • D、0.7V

    正确答案:B

  • 第14题:

    常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。

    • A、0.1
    • B、0.3
    • C、0.5
    • D、0.7

    正确答案:D

  • 第15题:

    二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。


    正确答案:错误

  • 第16题:

    锗二极管的压降比硅二极管的要小,理论上锗二极管是0.3V,硅二极管是()。

    • A、0.4V
    • B、0.5V
    • C、0.6V
    • D、0.7V

    正确答案:D

  • 第17题:

    锗二极管正向导通电压应为()。

    • A、0.3v
    • B、0.7v
    • C、0v
    • D、很大

    正确答案:A

  • 第18题:

    硅二极管的正向导通压降约为()

    • A、0.7V
    • B、0.5V
    • C、0.3V
    • D、0.2V

    正确答案:A

  • 第19题:

    晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。


    正确答案:0.6~0.7;0.2~0.3;0.5;0.1

  • 第20题:

    在常温下,硅二极管的开启电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。


    正确答案:0.5V;0.7V

  • 第21题:

    硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()


    正确答案:

  • 第22题:

    在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。


    正确答案:0.5V;0.7V;0.1V;0.2V

  • 第23题:

    填空题
    常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

    正确答案: 0.6(或0.7),0.2(或0.3)
    解析: 暂无解析