那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）A、分凝B、蒸发C、坩埚污染D、损坏

题目

那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）

  • A、分凝
  • B、蒸发
  • C、坩埚污染
  • D、损坏
相似考题

1.硅提纯及制备工艺流程正确的是()。A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅

2.影响视电阻率曲线的主要因素的哪些？

3.影响岩石电阻率的主要因素是（）、（）、（）电阻率和（）饱和度。

4.影响岩石电阻率的主要因素有哪些？

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  • 第1题：

    下列那个因素不是影响股道有效长的因素？（）。

    • A、警冲标
    • B、车挡
    • C、出站信号机
    • D、进站信号机

    正确答案:D

  • 第2题：

    直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）

    • A、6
    • B、2
    • C、4
    • D、5

    正确答案:D

  • 第3题：

    集束分丝，丝片分配不匀，会影响（）。

    • A、牵伸效果
    • B、成品疵点含量
    • C、纤维染色均匀性
    • D、成品比电阻率

    正确答案:A,C

  • 第4题：

    （）是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触，边缓慢旋转提拉，使结晶生长，最后得到长棒形状的单晶硅。

    • A、直拉法
    • B、铸锭法
    • C、西门子法
    • D、三氯氢硅还原法

    正确答案:A

  • 第5题：

    下面哪种不是单晶硅的制备方法（）。

    • A、硅带法
    • B、区熔法
    • C、直拉单晶法
    • D、磁拉法

    正确答案:A

  • 第6题：

    问答题
    地表不同岩石的大致电阻率大小，影响岩石电阻率的因素有哪些？

    正确答案： （1）火成岩与变质岩的电阻率值较高，通常在102～105Ω·m范围内变化；
    （2）沉积岩电阻率值一般较低，如粘土电阻率约为100～101Ω·m；砂岩的电阻率约为102～103Ω·m，而灰岩电阻率则较高些。
    影响岩石电阻率的因素：矿物成分、含量及结构； 岩石的孔隙度、湿度；水溶液矿化度。
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    问答题
    比较同等掺杂浓度多晶硅和单晶硅电阻率的大小？解释不同的原因。

    正确答案： 相同掺杂杂质即使浓度相同多晶硅的电阻率比单晶硅的电阻率高。这是因为多晶硅石油晶粒和晶界组成，在晶粒内部的掺杂原子和在单晶硅中一样是占据替位，有电活性；而晶界上的硅原子是无序状态，掺杂原子多数是无电活性的，且晶粒/晶界之间的杂质分凝导致晶界上杂质浓度高于晶粒内部，因此，在相同掺杂浓度下，多晶硅中有电活性的杂质浓度低于单晶硅，导电能力也就低于单晶硅。另外，晶界上大量的缺陷和悬挂键是载流子陷阱，晶粒中的载流子若陷入晶界之中，对电导就不再起作用。同时晶界上的电荷积累还会造成晶粒边界周围形成载流子耗尽的区域，使其能带发生畸变，产生势垒，降低了多晶硅中载流子的有效迁移率，这也引起导电能力下降，电阻率升高。
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    单选题
    下面哪些因素不是影响沉积层岩石电阻率的主要因素？（）
    A

    空隙胶结物；

    B

    温度；

    C

    压力；

    D

    地幔岩石的电阻率


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    判断题
    相同掺杂浓度下，多晶硅的电阻率比单晶硅的电阻率高得多。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）
    A

    分凝

    B

    蒸发

    C

    坩埚污染

    D

    损坏


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    简述直拉法生长单晶硅的工艺过程，并说明每个步骤各自有什么作用？

    正确答案： （1）引晶，可以使熔融硅与籽晶间温度平衡；
    （2）缩颈，是为了消除籽晶原有的缺陷或引晶时由于温度变化引起的新生缺陷；
    （3）放肩，使晶体逐渐长大至所需直径；
    （4）等径生长，使晶体逐渐长大至所需长度；
    （5）收尾，是为了避免晶棒离开熔融液时急速降温而产生的缺陷向上延伸。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    影响油品体积电阻率测试的因素有哪些？


    正确答案: （1）温度的影响。
    （2）与电场强度有关。
    （3）与施加电压的时间有关。

  • 第14题：

    影响土壤电阻率的因素有（）、（）、（）、（）、。


    正确答案:温度|湿度|密度|性质|化学成分

  • 第15题：

    影响土壤电阻率的因素有哪些？


    正确答案:影响土壤电阻率的因素有温度、湿度、密度、性质、化学成分

  • 第16题：

    单晶硅锭的制备方法很多，目前国内外在生产中主要采用溶体直拉法和辉光放电法。


    正确答案:错误

  • 第17题：

    简述影响岩石电阻率的因素。


    正确答案: （1）岩石中孔隙液体性质水（矿化度）的影响；
    （2）岩石中液体含量的影响；
    （3）岩石含水饱和度的影响

  • 第18题：

    问答题
    何谓视电阻率？试述影响视电阻率的因素？

    正确答案： （1）岩石电阻率与矿物成分的关系岩石电阻率与组成岩石的矿物的电阻率、矿物的含量和矿物的分布有关。当岩石中含有良导电矿物时，矿物导电性能能否对岩石电阻率的大小产生影响取决于良导矿物的分布状态和含量。如果岩石中的良导矿物颗粒彼此隔离地分布着，且良导矿物的体积含量不大，那么岩石的电阻率基本上与所含的良导矿物无关，只有当良导矿物的体积含量较大时（大于30%），岩石的电阻率才会随良导矿物的体积含量的增大而逐渐降低。但是，如果良导矿物的电连通性较好，即使它们的体积含量并不大，岩石的电阻率也会随良导矿物含量的增加而急剧减小。
    （2）岩石电阻率与其含水性的关系沉积岩主要依靠孔隙水溶液来传导电流，因此岩层中水的导电性质将直接影响沉积岩的电阻率。在其他条件相同的情况下，岩层电阻率与岩层中水的电阻率成正比。影响水的导电性的主要因素是水中离子的浓度和水的温度。常见的岩层水一般含低或中等浓度的离子，岩层中水的含盐浓度增大，离子数量随之增多，溶液导电性将变好。同时岩层中水的导电性还与温度有关，它的电阻率将随温度的升高而降低。这是因为，一方面水中盐类的溶解度随温度的升高而增大，致使溶液中离子数量增多；另一方面，温度的升高还会降低溶液粘度，加快离子的迁移速度。
    （3）岩石电阻率与层理的关系层理构造是大多数沉积岩和变质岩的典型特征，如砂岩、泥岩、片岩、板岩以及煤层等，它们均由很多薄层相互交替组成。这种岩石的电阻率具有明显的方向性，即沿层理方向和垂直层理方向岩石的导电性不同，称为岩石电阻率的各向异性。岩石电阻率的各向异性可用各向异性系数λ来表示，定义为λ=式中，ρn代表垂直层理方向上的平均电阻率，称为横向电阻率；ρt代表沿层理方向的平均电阻率，称为纵向电阻率
    （4）岩石电阻率与温度的关系岩石电阻率随温度的变化遵循导电理论的有关定理。电介质中离子的能动性随温度升高而增大，其运动能量积累到一定值时，很容易脱离晶格，因此导电性增强。半导体的温度升高时，导电区电子浓度增大，导电性也相应增大。如前所述，在低温条件下，含水岩石中水溶液的导电性随温度的升高而增大，这是由于温度升高导致水溶液浓度增大和粘滞度降低，水溶液中离子数量增多、活动性增强的缘故；当温度继续升高时，因水分蒸发，岩石电阻率略有增加，只有温度继续升高时，电阻率才开始减小。例如，对油页岩进行加温实验时，温度升高到50～100℃时，试样的电阻率减小；温度继续升高至200℃时，试样电阻率增大；温度继续升高超过200℃时，试样电阻率急剧下降；当温度超过600℃后，试样电阻率又呈回升趋势。
    （5）岩石电阻率与压力的关系岩石原生结构破坏是压力作用下岩石性质变化的主要原因。根据压力特征，这种破坏可能是岩石的压实，孔隙收缩，颗粒接触面积的增大，形成裂隙组，或是个别区域之间粘结性减小等等。静水压力对岩石的压实作用最大，在静水压力作用下，岩石内出现残余变形，从而使孔隙度降低。此时压力对岩石电阻率的影响与岩石内液体和气体的含量有关，往往随压力的增大，干燥或者稍许含水岩石的电阻率减小，这是由于孔隙度降低、颗粒间接触良好的原因。除此之外，岩石中孤立的含水孔隙在压力作用下闭合并形成连续的导电通路，也会使其电阻率减小。对于大多数岩石，当单轴压力由10Mpa增加到60Mpa时，可观测到岩石电阻率的剧烈变化。但是，某些粘土在压力作用下，由于孔隙中的水分被挤出，含水孔隙通道的截面缩小，从而使其电阻率增大。相反，在应力弱化作用下，岩石颗粒之间内部粘结性降低，致使岩石强度变小，岩石可碎性增强。当岩石内部裂隙发育但裂隙不充水时，岩石电阻率会增大，若裂隙充水，岩石电阻率会显著减小。
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    问答题
    影响岩土介质电阻率的因素有哪些？怎样影响？

    正确答案： 自然状态下，岩土介质的电阻率除与介质组分有关外，还与岩石的结构、构造、孔隙度、湿度、矿化度及温度等因素有关。
    介质组分：一般来说，当岩石中良导性矿物的体积含量高时，其电阻率通常较低。相反，当造岩矿物含量高时，岩石电阻率亦很高。
    结构和构造：在导电金属矿物含量相同的条件下，岩石的结构起着重要的作用。浸染状结构岩石中良导性矿物被不导电矿物包围，其电阻率要比良导性矿物彼此相连的细脉状结构岩石为高。如对含针、片状矿物，沿层理方向（纵向）电阻率小于垂直层理方向（横向）电阻率，两个方向间存在各向异性。
    湿度：湿度对岩石的电阻率有很大的影响，这是因为水的电阻率较小，含水岩石的电阻率远比干燥的岩石低。
    矿化度：矿化度越高，电阻率越低。
    温度：温度的变化直接影响着岩石的电阻率。这是因为，温度升高时，一方面岩石中水溶液的粘滞性减小，使溶液中离子的迁移率增大。另一方面，又使溶液的溶解度增加，矿化度提高，所以岩石的电阻率通常随温度的升高而下降。
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    单选题
    下列那个因素不是影响股道有效长的因素？（）。
    A

    警冲标

    B

    车挡

    C

    出站信号机

    D

    进站信号机


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    填空题
    CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。

    正确答案： 融化了的半导体级硅液体,有正确晶向的,被掺杂成p型或n型
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）
    A

    6

    B

    2

    C

    4

    D

    5


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    直拉法生长单晶硅要经过（）六个阶段。

    正确答案： 熔料、引晶、缩颈、放肩、等径生长和收尾
    解析： 暂无解析

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