下列有关Flash存储器的描述，不正确的是（）A、Flash存储器属于非易失的存储器B、Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同C、Flash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同D、Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息

题目

下列有关Flash存储器的描述，不正确的是（）

  • A、Flash存储器属于非易失的存储器
  • B、Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同
  • C、Flash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同
  • D、Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息
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1.下面会引起液晶电视死机的是()。A.FLASH存储器B.DDR存储器C.数据存储器D.屏供电

2.可进行读、写操作,但断电以后所存储的信息将全部丢失的主存储器称为。()A、只读存储器B、RAMC、随机访问存储器D、ROM

3.以下关于Flash存储器说法不正确的是( )。A.能在+5V下读写B.读/写操作方便C.掉电时数据会丢失D.也称为闪速存储器

4.下面关于半导体存储器的叙述中，错误的是A．DRAM是指动态随机存取存储器B．SRAM是指静态随机存取存储器C．EPROM 是一种只读存储器了内容一经写入就不能再被擦除D．Flash Memory既具有非易性，又能快速擦除和重写

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  • 第1题：

    PC使用的下列存储器巾，存取速度最快的是______。

    A) 主存储器(内存条)

    B) cache存储器

    C) 硬盘存储器

    D) 采用Flash Memory的移动存储器

    A．

    B．

    C．

    D．


    正确答案：B

  • 第2题：

    下面是关于嵌入式系统使用的存储器的叙述，其中正确的是：（）。

    A.静态存储器SRAM是非易失性存储器

    B.动态存储器DRAM是非易失性存储器

    C.Flash存储器是非易失性存储器

    D.EEPROM是易失性存储器


    正确答案：C

  • 第3题：

    计算机系统的内存储器主要由（ ）构成。

    A.Flash存储器
    B.只读存储器
    C.辅助存储器
    D.半导体存储器

    答案：D
    解析：
    半导体读写存储器简称RWM，习惯上也称为RAM。半导体RAM具有体积小、存储速度快等优点，因而适合作为内存储器使用。

  • 第4题：

    可进行读、写操作，但断电以后所存储的信息将全部丢失的主存储器称为（）。

    • A、随机访问存储器
    • B、ROM
    • C、RAM
    • D、只读存储器

    正确答案:A,C

  • 第5题：

    当RD#=0，WR#=1，M/IO#=0时，CPU完成的操作是（）.

    • A、存储器读
    • B、存储器写
    • C、I/O读
    • D、I/O写

    正确答案:C

  • 第6题：

    可用紫外线擦除的存储器是（）

    • A、E2PROM
    • B、EPROM
    • C、RAM
    • D、FLASH

    正确答案:B

  • 第7题：

    下列按块擦除的是（）存储器。

    • A、EPROM
    • B、EEPROM
    • C、PROM
    • D、FLASH

    正确答案:D

  • 第8题：

    下列存储器中，掉电存储器中的数据会丢失的是（）

    • A、ROM
    • B、SRAM
    • C、EPROM
    • D、FLASH MEMORY

    正确答案:B

  • 第9题：

    FLASH的中文含义是（）。

    • A、闪速存储器
    • B、随机存储器
    • C、只读存储器
    • D、电可擦除可编程存储器

    正确答案:A

  • 第10题：

    说明动态读/写存储器的操作步骤。


    正确答案: 动态RAM读操作的步骤如下：
    （1）在地址线上加所读字的地址并使之稳定。
    （2）通过“预充电”线使芯片预充电。
    （3）R/W线置成该状态。在写操作之后至地址线改变之前要有足够时间，让R/W线回到读状态。
    （4）在启动“予充电”线的同时，使芯片启动线CS有效，予充电与芯选启动线在时间上必须严格控制。写操作比读操作要多加一步：
    （5）在芯片启动的同时，要求R/W线上加写脉冲，在数据线加所写的数据。

  • 第11题：

    单选题
    DRAM是（）。
    A

    只能读出的存储器

    B

    只能写入的存储器

    C

    不关机信息静态保存的存储器

    D

    信息需定时刷新的读／写存储器


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    下列有关Flash存储器的描述，不正确的是（）
    A

    Flash存储器属于非易失的存储器

    B

    Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同

    C

    Flash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同

    D

    Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    下面是关于嵌入式系统使用的存储器的叙述，其中错误的是（）。

    A.系统使用的RAM有SRAM、DRAM等多种

    B.Flash存储器分为NOR Flash和NAND Flash两种

    C.FRAM已得到使用

    D.目前还没有使用Cache存储器


    正确答案：D

  • 第14题：

    嵌入式存储器系统设计中，一般使用．三种存储器接口电路：NOR Flash接口、NAND Flash接口和SDRAM接口电路，以下叙述中错误的是(27) 。

    A.系统引导程序可以放在NORFlash中，也可以放在NAND Flash中

    B.存储在NOR Flash中的程序可以直接运行

    C.存储在NAND Flash中的程序可以直接运行

    D.SDRAM不具有掉电保持数据的特性，其访问速度要大于Flash存储器


    正确答案：C
    本题考查嵌入式系统存储硬件设计的基础知识。在嵌入式系统的存储硬件设计中，一般采用三种存储器接口即NORFlash存储器、NandFlash存储器和SDRAM存储器。NORFlash带有通用的SRAM接口，可以轻松地挂接在CPU的地址、数据总线上，对CPU的接口要求低。NORFlash的特点是芯片内执行(XIP，eXecuteInPlace)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。如uboot中的只读段可以直接在NORFlash上运行。NANDFlash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。由于时序较为复杂，所以一般CPU最好集成NAND控制器。另外由于NANDFlash没有挂接在地址总线上，所以如果想用NANDFlash作为系统的启动盘，就需要CPU具备特殊的功能，如s3c2410在被选择为NANDFlash启动方式时会在上电时自动读取NANDFlash的4kb数据到地址0得SRAM中。如果CPU不具备这种特殊功能，用户不能直接运行NANDFlash上的代冯，那可以采取其他方式，比如好多使用NANDFlash的开发板除了使用NANDFlaslI以外，还用一块小的NORFlash来运行启动代码。任何Flash器件的写入操作都只能在空或已擦除的单元内进行。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。SDRAM是有一个同步接口的动态随机存取内存(DRAM)。通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。相对于NORFlash和NandFlash，SDRAM的访问读写速度要快得多。

  • 第15题：

    Flash存储器和传统的只读存储器相比有什么优点？


    正确答案:快闪存储器Flash是在EEPROM基础上发展起来的非易失性存储器。与传统的只读存储器相比具备以下优点：集成度高、单片容量大、单位容量价格便宜、容易改写可以实现局部（页）擦除。

  • 第16题：

    下列属于半导体存储器的是（）

    • A、硬盘
    • B、光盘
    • C、Flash ROM
    • D、DDR3 SDRAM

    正确答案:C,D

  • 第17题：

    当M/IO=0时，可以进行的操作有：（）

    • A、写存储器
    • B、读存储器
    • C、写I/O端口
    • D、读I/O端口

    正确答案:C,D

  • 第18题：

    DRAM是（）。

    • A、只能读出的存储器
    • B、只能写入的存储器
    • C、不关机信息静态保存的存储器
    • D、信息需定时刷新的读／写存储器

    正确答案:D

  • 第19题：

    以下叙述中，不正确的是（）。

    • A、半导体存储器包括RAM和ROM
    • B、Flash存储器是非易失性的
    • C、Cache是高速缓存
    • D、EPROM使用电擦除方式

    正确答案:D

  • 第20题：

    以下关于Flash存储器说法不正确的是（）。

    • A、能在+5V下读写
    • B、读/写操作方便
    • C、掉电时数据会丢失
    • D、也称为闪速存储器

    正确答案:C

  • 第21题：

    AT89S52型号中的“S”代表（）。

    • A、FLASH存储器
    • B、CMOS产品
    • C、低电压产品
    • D、含可下载的flash存储器

    正确答案:D

  • 第22题：

    掉电后信息消失的是（）。

    • A、顺序存取存储器
    • B、ROM
    • C、PROM
    • D、FLASH

    正确答案:A

  • 第23题：

    多选题
    可进行读、写操作，但断电以后所存储的信息将全部丢失的主存储器称为（）。
    A

    随机访问存储器

    B

    ROM

    C

    RAM

    D

    只读存储器


    正确答案： C,A
    解析： 暂无解析

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