已知有16K×1的DRAM芯片，其引脚功能如下：地址输入A6～A0，行地址选择RAS，列地址选择CAS，数据输入端DIN，数据输出端DOUT，控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器，采用奇偶校验。试问：若芯片内部采用128×128矩阵排列，求异步刷新时该存储器的刷新间隔。

题目

已知有16K×1的DRAM芯片，其引脚功能如下：地址输入A6～A0，行地址选择RAS，列地址选择CAS，数据输入端DIN，数据输出端DOUT，控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器，采用奇偶校验。试问：若芯片内部采用128×128矩阵排列，求异步刷新时该存储器的刷新间隔。

相似考题

1.有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读／写周期?死时间率是多少?

2.RAM的基本结构包含地址译码器、存储矩阵和读写电路三大部分。一个RAM芯片有11个地址输入端，8个数据输出端，则该RAM芯片的容量是（　　）位。A．88 B．880 C．211×8 D．28×11

3.接口芯片的作用是扩展（）A、程停存储器；B、数据存储器；C、地址线数目；D、输入输出端口。

4.μPD424256的容量为256K×4bit，即芯片内部有256K个存储单元，每个存储单元可存储4位信息。下面关于μPD424256的叙述中，正确的是( )。A．芯片内部有256K个存储单元，因此芯片有18个地址引脚B．芯片的RAS和CAS选通信号主要用于DRAM的刷新C．芯片的数据线有4根，但为减少芯片的引脚数，它们与18个地址信号中的低4位地址线是分时复用的D．DRAM芯片中的存储单元除像μPD424256那样存储4位信息外，有的DRAM芯片中的存储单元存储1位信息，有些存储8位信息

参考答案和解析
正确答案:若芯片内部采用128×128矩阵排列，设芯片的最大刷新间隔时间为2ms ，则相邻两行之间的刷新间隔为：刷新间隔＝最大刷新间隔时间÷行数＝2ms÷128＝15.625μs可取刷新间隔15.5μs。
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  • 第1题：

    4K×8RAM芯片的地址输入端为（）个，数据输出端为（）个。


    正确答案:12；8

  • 第2题：

    一存储器芯片有13条地址引脚、8条数据引脚，请问该存储器芯片内有（）个字节单元。


    正确答案:8K

  • 第3题：

    有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）采用异步刷新，如果单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？


    正确答案: （1）DRAM芯片容量为128K×8位=128KB
    存储器容量为1024K×32位=1024K×4B=4096KB
    所需芯片数4096KB÷128KB=32片
    （2）对于128K×8位的DRAM片子，选择一行地址进行刷新，取刷新地址A8—A0，则8ms内进行512个周期的刷新。按此周期数，512×4096=128KB，对一行上的4096个存储元同时进行刷新。采用异步刷新方式刷新信号的周期为8ms÷512=15.6μs

  • 第4题：

    已知有16K×1的DRAM芯片，其引脚功能如下：地址输入A6～A0，行地址选择RAS，列地址选择CAS，数据输入端DIN，数据输出端DOUT，控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器，采用奇偶校验。试问：需要芯片的总数是多少？


    正确答案:需要的芯片数＝128片。

  • 第5题：

    已知某RAM芯片的引脚中有11根地址线，8位数据线，则该存储器的容量为（）字节。若该芯片所占存储空间的起始地址为2000H，其结束地址为（）。


    正确答案:2K；27FFH

  • 第6题：

    已知一个具有14位地址和8位数据的存储器，回答下列问题： （1）该存储器能存储多少字节的信息？ （2）如果存储器由8K×4位RAM芯片组成，需要多少片？ （3）需要多少位地址作芯片选择？


    正确答案: （1）该存储器能存储的字节个数是214=24×210=16K。
    （2）该存储器能存储的总容量是16KB，若由8K×4位RAM芯片组成，需要的片数为（16K×8）/（8K×4）=4片
    （3）因为该存储器中读写数据的宽度为8位，所以4片8K×4位RAM芯片要分成两组，用一位地址就可区分；另一方面，每一组的存储容量为8K×8位=213×8位，只需要13位地址就可完全访问。

  • 第7题：

    某机字长16位，CPU地址总线18位，数据总线16位，存储器按字编址，CPU的控制信号线有：MREQ#（存储器访问请求，低电平有效），R/W#（读写控制，低电平为写信号，高电平为读信号）。试问：【＊＊，★，包捷5.2，编号3.3，3.5.2】 该机主存采用64K×1位的DRAM芯片（内部为4个128×128阵列）构成最大主存空间，则共需（）个芯片；若采用异步刷新方式，单元刷新间隔为2ms，则刷新信号的周期为（）。


    正确答案:共需（218×16）÷（64K×1bit）=64 芯片；
    异步刷新方式是每行刷新一次，则刷新周期是：2ms÷128=15.625μs

  • 第8题：

    RAM的基本结构包含地址译码器、存储矩阵和读写电路三大部分。一个RAM芯片有11个地址输入端，8个数据输出端，则该RAM芯片的容量是（）位。

    • A、88
    • B、880
    • C、211×8
    • D、28×11

    正确答案:C

  • 第9题：

    问答题
    某机字长16位，CPU地址总线18位，数据总线16位，存储器按字编址，CPU的控制信号线有：MREQ#（存储器访问请求，低电平有效），R/W#（读写控制，低电平为写信号，高电平为读信号）。试问：【＊＊，★，包捷5.2，编号3.3，3.5.2】 该机主存采用64K×1位的DRAM芯片（内部为4个128×128阵列）构成最大主存空间，则共需（）个芯片；若采用异步刷新方式，单元刷新间隔为2ms，则刷新信号的周期为（）。

    正确答案： 共需（218×16）÷（64K×1bit）=64 芯片；
    异步刷新方式是每行刷新一次，则刷新周期是：2ms÷128=15.625μs
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）采用异步刷新，如果单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？

    正确答案： （1）DRAM芯片容量为128K×8位=128KB
    存储器容量为1024K×32位=1024K×4B=4096KB
    所需芯片数4096KB÷128KB=32片
    （2）对于128K×8位的DRAM片子，选择一行地址进行刷新，取刷新地址A8—A0，则8ms内进行512个周期的刷新。按此周期数，512×4096=128KB，对一行上的4096个存储元同时进行刷新。采用异步刷新方式刷新信号的周期为8ms÷512=15.6μs
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？

    正确答案： 1）（64K×16）/（16K×1）=（216×24）/（214）=220/214=26=64片
    2）2ms÷128=15.625μs
    3）128×500ns=64μs
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    某机器的主存储器共32KB，由16片16K×1位（内部采用128×128存储阵列）的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么所有存储单元刷新一遍需要（）个存储周期。
    A

    128

    B

    256

    C

    1024

    D

    16384


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    某ROM芯片中有12根地址输入端和8个数据输出端，该芯片的存储容量是多少位？


    正确答案:芯片的存储容量是4K*8位。

  • 第14题：

    某种存储器芯片有12条地址引脚、4条数据引脚，若要利用此类芯为某系统扩展16K的8位存储器，请问需要（）片这样的存储器芯片。


    正确答案:8

  • 第15题：

    某机器的主存储器共32KB，由16片16K×1位（内部采用128×128存储阵列）的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么所有存储单元刷新一遍需要（）个存储周期。

    • A、128
    • B、256
    • C、1024
    • D、16384

    正确答案:A

  • 第16题：

    现有1024×1的存储芯片，若用它组成容量为16K×8存储器。试求： （1）实现该存储器所需的芯片数量？ （2）若将这些芯片分装在若干块板上，每块板的容量为4K×8，该存储器所需的地址线总位数是多少？其中几位用于选板？几位用于选片？几位用作片内地址？


    正确答案:（1）128片
    （2）16K×8=2^14×8，地址线为14根。4K×8容量的板，共需要4块板子。则14根地址线的最高2位用于板选（00～11，第1块板子～第4块板子），4K*8位＝2^12*8位＝12*1K*8位，也就是在每块板子内需要4*8个芯片，而每8个芯片组成8位，也就是位扩展。也就是说需要4组，则除了最高2位，剩余的12位中，有2位用于片选（00～11，第一组～第4组）。也就是：2位用于板选，2位用于片选，剩余的10位用于片内地址选择。

  • 第17题：

    某RAM芯片的存储容量为1024×8位，该芯片的外部引脚应有几条地址线？几条数据线？若已知某RAM芯片引脚中有13条地址线，8条数据线，那么该芯片的存储容量是多少？


    正确答案:该芯片的外部引脚应有10条地址线，8条数据线。
    RAM芯片引脚中有13条地址线，8条数据线，那么该芯片的存储容量是8K×8位。

  • 第18题：

    在给接口芯片设计地址时，应使接口芯片的片选控制端与（）的输出端连接。


    正确答案:译码器

  • 第19题：

    有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？


    正确答案:1）（64K×16）/（16K×1）=（216×24）/（214）=220/214=26=64片
    2）2ms÷128=15.625μs
    3）128×500ns=64μs

  • 第20题：

    单选题
    某容量为256M的存储器，由若干4M*8位的DRAM芯片构成，该DRAM芯片的地址引脚和数据引脚总数是：（）
    A

    19

    B

    22

    C

    30

    D

    36


    正确答案： A
    解析：

  • 第21题：

    问答题
    已知有16K×1的DRAM芯片，其引脚功能如下：地址输入A6～A0，行地址选择RAS，列地址选择CAS，数据输入端DIN，数据输出端DOUT，控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器，采用奇偶校验。试问：若芯片内部采用128×128矩阵排列，求异步刷新时该存储器的刷新间隔。

    正确答案： 若芯片内部采用128×128矩阵排列，设芯片的最大刷新间隔时间为2ms ，则相邻两行之间的刷新间隔为：刷新间隔＝最大刷新间隔时间÷行数＝2ms÷128＝15.625μs可取刷新间隔15.5μs。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    4K×8RAM芯片的地址输入端为（）个，数据输出端为（）个。

    正确答案： 12,8
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    某ROM芯片中有12根地址输入端和8个数据输出端，该芯片的存储容量是多少位？

    正确答案： 芯片的存储容量是4K*8位。
    解析： 暂无解析

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