在查找CMOS集成电路故障的不能用（）。A、断路法B、短路法C、电压法D、人体干扰法
题目
在查找CMOS集成电路故障的不能用（）。
- A、断路法
- B、短路法
- C、电压法
- D、人体干扰法
相似考题
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第1题：
把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上，就构成集成电路，根据制造工艺的不同，把数字集成电路分为哪两种。（）
- A、双极性集成电路
- B、TTL集成电路
- C、CMOS集成电路
- D、单极性集成电路
正确答案:A,D -
第2题：
按制造工艺集成电路分为（）。
- A、半导体集成电路
- B、TTL集成电路
- C、厚膜集成电路
- D、薄膜集成电路
- E、CMOS集成电路
正确答案:A,C,D -
第3题：
在查找CMOS集成电路故障的不能用（）
- A、断路法
- B、短路法
- C、电压法
正确答案:B -
第4题：
与TTL相比，CMOS集成电路主要优点有：（）、（）、（）、（）、（）等。
正确答案:功耗低；工作电压范围宽；抗干扰能力强；集成度高；成本低 -
第5题：
单极性集成电路包括（）
- A、TTL集成电路
- B、PMOS集成电路
- C、NMOS集成电路
- D、CMOS集成电路
正确答案:B,C,D -
第6题：
修改BIOS设置后不能保存，造成该故障的原因为（）。
- A、CMOS电池损坏或电压不足
- B、CMOS跳线问题
- C、主板电路损坏
- D、南桥故障
正确答案:A,B,C -
第7题：
试述CMOS集成电路与TTL集成电路相比较有哪些优缺点？
正确答案: CMOS集成电路与TTL集成电路相比较，具有静态功耗低，电源电压范围宽，输入阻抗高，扇出能力强，抗干扰能力强，逻辑摆幅大以及温度稳定性好等优点。但也存在着工作速度低，功耗随频率的升高显著增大等特点。 -
第8题：
填空题对于CMOS集成电路，通常器件间的电性绝缘采用介质绝缘的方式，如LOCOS（）或STI（）正确答案： 局部场氧隔离,浅沟道隔离解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题CMOS集成电路有哪些特点？正确答案： （1）功耗低
CMOS集成电路采用场效应管，且都是互补结构，工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态，电路静态功耗理论上为零。实际上，由于存在漏电流，CMOS电路尚有微量静态功耗。单个门电路的功耗典型值仅为20mW，动态功耗（在1MHz工作频率时）也仅为几mW。
（2）工作电压范围宽
CMOS集成电路供电简单，供电电源体积小，基本上不需稳压。国产CC4000系列的集成电路，可在3~18V电压下正常工作。
（3）逻辑摆幅大
CMOS集成电路的逻辑高电平“1”、逻辑低电平“0”分别接近于电源高电位VDD及电影低电位VSS。当VDD=15V，VSS=0V时，输出逻辑摆幅近似15V。因此，CMOS集成电路的电压电压利用系数在各类集成电路中指标是较高的。
（4）抗干扰能力强
CMOS集成电路的电压噪声容限的典型值为电源电压的45%，保证值为电源电压的30%。随着电源电压的增加，噪声容限电压的绝对值将成比例增加。对于VDD=15V的供电电压（当VSS=0V时），电路将有7V左右的噪声容限。
（5）输入阻抗高
CMOS集成电路的输入端一般都是由保护二极管和串联电阻构成的保护网络，故比一般场效应管的输入电阻稍小，但在正常工作电压范围内，这些保护二极管均处于反向偏置状态，直流输入阻抗取决于这些二极管的泄露电流，通常情况下，等效输入阻抗高达103~1011Ω，因此CMOS集成电路几乎不消耗驱动电路的功率。
（6）温度稳定性能好
由于CMOS集成电路的功耗很低，内部发热量少，而且，CMOS电路线路结构和电气参数都具有对称性，在温度环境发生变化时，某些参数能起到自动补偿作用，因而CMOS集成电路的温度特性非常好。一般陶瓷金属封装的电路，工作温度为-55~+125℃；塑料封装的电路工作温度范围为-45~+85℃。
（7）扇出能力强
扇出能力是用电路输出端所能带动的输入端数来表示的。由于CMOS集成电路的输入阻抗极高，因此电路的输出能力受输入电容的限制，但是，当CMOS集成电路用来驱动同类型，如不考虑速度，一般可以驱动50个以上的输入端。
（8）抗辐射能力强
CMOS集成电路中的基本器件是MOS晶体管，属于多数载流子导电器件。各种射线、辐射对其导电性能的影响都有限，因而特别适用于制作航天及核实验设备。
（9）可控性好
CMOS集成电路输出波形的上升和下降时间可以控制，其输出的上升和下降时间的典型值为电路传输延迟时间的125%~140%。
（10）接口方便
因为CMOS集成电路的输入阻抗高和输出摆幅大，所以易于被其他电路所驱动，也容易驱动其他类型的电路或器件。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题简述CMOS模拟集成电路的版图设计流程。正确答案： （1）需手工绘制，不能用数字的版图设计方法；
（2）需考虑多因素是折衷，尤其对噪声串扰要求高；
（3）要求器件的匹配性要好
（4）用版图绘制软件（如L-Edit）绘制版图，提取参数，后仿真。解析： 暂无解析 -
第11题：
判断题CMOS电路与双极集成电路相比速度快。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第12题：
判断题双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第13题：
单极型集成电路不包含（）.
- A、普通晶体管（NPN管或PNP管）
- B、P沟道MOS管
- C、N沟道MOS管
- D、互补型MOS（即CMOS）
正确答案:A -
第14题：
单极型集成电路是（）。
- A、TTL型
- B、TDK型
- C、CMOS型
正确答案:C -
第15题：
TTL集成电路和CMOS集成电路对输入端的空脚处理是（）。
- A、CMOS允许悬空
- B、TTL不允许悬空
- C、TTL允许悬空
- D、CMOS不允许悬空
正确答案:C,D -
第16题：
CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是（）
- A、微功耗
- B、高速度
- C、高抗干扰能力
- D、电源范围宽
正确答案:A,C,D -
第17题：
数字式面板表是采用（）组成。
- A、CMOS大规模集成电路A/D转换器
- B、液晶显示屏
- C、CMOS大规模集成电路积分运算器
- D、发光二极管数字显示
正确答案:A,D -
第18题：
与TTL集成电路相比，CMOS集成电路（）。
- A、功耗更大
- B、材料不同
- C、工艺相同
- D、以上都不正确
正确答案:D -
第19题：
CMOS集成电路的输入端（）。
- A、不允许悬空
- B、允许悬空
- C、必须悬空
正确答案:A -
第20题：
问答题为提高CMOS集成电路的抗自锁能力，可在版图设计上采取哪些措施？正确答案： 合理布置电源接触孔，减小横向电流密度和横向电阻。采用伪收集极。采用保护环。解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题具体描述CMOS集成电路的工艺流程是怎样的？正确答案： 衬底；P阱的制作；场氧氧化、确定有源区；生长多晶硅栅；形成PMOS的源、漏区；形成NMOS的源、漏区；生长PSG；制作电极引线；后工序加工。解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题简述3.0μm CMOS集成电路工艺技术工艺流程。正确答案： ①双阱工艺：备片→初氧氧化→光刻N阱区→N阱磷注入→刻蚀初氧层→光刻P阱区→P阱硼注入→阱推进
②LOCOS隔离工艺：垫氧氧化→氮化硅沉积→光刻有源区→光刻NMOS管场区→NMOS管场区硼注入→场区选择氧化
③多晶硅栅结构工艺：去除氮化硅→栅氧化→多晶硅沉积→多晶掺磷→光刻多晶硅
④源/漏（S/D）注入工艺：光刻NMOS管源漏区→NMOS管源漏区磷注入→光刻PMOS管源漏区→PMOS管源漏硼注入
⑤金属互连的形成：BPSG沉积→回流/增密→光刻接触孔→溅射Si-Al-Cu→光刻金属互连
⑥制作压点及合金：钝化→光刻压焊窗口→合金
⑦参数测试。解析： 暂无解析 -
第23题：
多选题CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是（）。A微功耗
B高速度
C高抗干扰能力
D电源范围宽
正确答案： C,B解析： 暂无解析