杂质离子被包藏在晶体内部的现象称为（）。A、混晶B、吸留C、混杂D、吸附

题目

杂质离子被包藏在晶体内部的现象称为（）。

  • A、混晶
  • B、吸留
  • C、混杂
  • D、吸附
相似考题

1.在沉淀形成过程中,待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成()A、吸留B、混晶C、包藏D、后沉淀

2.杂质离子被包藏在晶体内部的现象称为()。A.混晶B.吸留C.混杂D.吸附

3.在黏土矿物的形成过程中,常常发生半径相近的离子取代一部分铝(Ⅲ)或硅(Ⅳ)的现象,即同晶置换作用。下列说法正确的是()A、与Al3+离子半径相近的阴离子也可发生同晶置换B、所有同晶置换都可使晶体内部电荷不平衡而带负电，因而能吸附阳离子C、发生同晶置换后的晶体构造并未改变D、高岭石富含钾(K2O4~7%)，就是发生了同晶置换的结果

4.用洗涤方法可除去的沉淀杂质是()A、混晶及沉淀杂质B、包藏及沉淀杂质C、吸附及沉淀杂质D、后沉淀杂质

更多“杂质离子被包藏在晶体内部的现象称为（）。A、混晶B、吸留C、混杂D、吸附”相关问题

  • 第1题：

    沉淀重量法在进行沉淀反应时，某些可溶性杂质同时沉淀下来的现象叫（）现象，其产生原因除表面吸附、生成混晶外还有（）和（）。


    正确答案:共沉淀；吸留；包藏

  • 第2题：

    陈化过程可以除去由吸咐和吸留引入的杂质离子，但不能除去由混晶共沉淀带入的杂质离子。（）


    正确答案:正确

  • 第3题：

    陈化可增大晶体颗粒，并能除去被吸留的杂质。


    正确答案:正确

  • 第4题：

    下列有关洗涤沉淀的叙述，错误的是（）。

    • A、洗涤目的是洗去沉淀表面吸附的杂质
    • B、洗涤目的是洗去沉淀的吸留或混晶的杂质
    • C、洗涤的次数愈多，洗涤效果愈好，但沉淀损失也愈多
    • D、洗涤溶液用量愈多，洗涤效果愈好。

    正确答案:B,C

  • 第5题：

    在重量分析中，下面说法（）是错误的。

    • A、杂质浓度越大，则吸附杂质的量越多
    • B、同质量的沉淀，颗粒越大，则总表面越大，吸附杂质的量越多
    • C、溶液温度升高，吸附杂质的量减少
    • D、沉淀剂加入过快时，沉淀迅速长大，易使得杂质离子被包藏在沉淀内部

    正确答案:B

  • 第6题：

    重量分析中，沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污，沉淀表面最优先吸附的离子是（）

    • A、构晶离子
    • B、高价离子
    • C、极化程度大的离子
    • D、浓度大的离子

    正确答案:A

  • 第7题：

    混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。


    正确答案:相同电荷

  • 第8题：

    在重量分析中，待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）

    • A、混晶
    • B、吸留
    • C、包藏
    • D、后沉淀

    正确答案:A

  • 第9题：

    在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常用待测离子一道与够晶离子形成（）

    • A、吸留
    • B、混晶
    • C、包夹
    • D、继沉淀

    正确答案:B

  • 第10题：

    单选题
    在重量分析中，待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）
    A

    混晶

    B

    吸留

    C

    包藏

    D

    后沉淀


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）
    A

    后沉淀

    B

    机械吸留

    C

    包藏

    D

    混晶


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）
    A

    表面吸附

    B

    混晶

    C

    机械吸留

    D

    后沉淀


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    如果被吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，就可能形成（）。

    • A、表面吸附
    • B、机械吸留
    • C、包藏
    • D、混晶

    正确答案:D

  • 第14题：

    共沉淀现象可能是由（）等原因产生的。

    • A、表面吸附
    • B、生成混晶
    • C、放置时间长
    • D、吸留
    • E、包藏

    正确答案:A,B,D,E

  • 第15题：

    形成共沉淀现象的原因有（）。

    • A、表面吸咐
    • B、生成混晶
    • C、吸留
    • D、陈化
    • E、包藏

    正确答案:A,B,C,E

  • 第16题：

    共沉淀现象是由于沉淀的（）作用，混晶或固溶体的形成，吸留和包藏等原因引起的。


    正确答案:表面吸附

  • 第17题：

    下列有关沉淀纯净叙述错误的是（）。

    • A、洗涤可减免吸留的杂质
    • B、洗涤可减少吸附的杂质
    • C、易生成混晶的杂质应事先分离除去
    • D、沉淀完成后立即过滤可防止后沉淀

    正确答案:A

  • 第18题：

    如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）

    • A、后沉淀
    • B、机械吸留
    • C、包藏
    • D、混晶

    正确答案:D

  • 第19题：

    如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）

    • A、表面吸附
    • B、混晶
    • C、机械吸留
    • D、后沉淀

    正确答案:B

  • 第20题：

    沉淀洗涤的目的是洗去由于吸留或混晶影响沉淀纯净的杂质。


    正确答案:错误

  • 第21题：

    重量分析中，若待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）

    • A、表面吸附
    • B、吸留与包藏
    • C、混晶
    • D、后沉淀

    正确答案:C

  • 第22题：

    单选题
    重量分析中，沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污，沉淀表面最优先吸附的离子是（）
    A

    构晶离子

    B

    高价离子

    C

    极化程度大的离子

    D

    浓度大的离子


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。

    正确答案： 相同电荷
    解析： 暂无解析

相关内容