参考答案和解析
正确答案:阴极发光(阴极发光仪)
更多“在可见光区能直接观察到的晶体生长环境或生长纹,并能探讨缺位的方法”相关问题
  • 第1题:

    在红宝石中可观察到下列哪些内含物?()

    • A、锯齿状的生长纹   
    • B、羽状裂隙     
    • C、金红石针      
    • D、方解石

    正确答案:B,C,D

  • 第2题:

    在晶体生长过程中维持其过饱和度的途径有哪些?


    正确答案: (1)据溶解度曲线,改变温度;——降温法
    (2)采取各种方式(如蒸发、电解)移去溶剂,改变溶液成分;——蒸发法,电解溶剂法
    (3)通过化学反应来控制过饱和度;——溶胶扩散法
    (4)用亚稳相来控制过饱和度,即利用某些物质的稳定相和亚稳相的溶解度差别,控制一定的温度,使亚稳相不断溶解,稳定相不断生长。——亚稳相法.

  • 第3题:

    地衣(一种植物)能在岩石表面生长,并能使岩石不断风化。这说明()

    • A、生物与环境之间没有直接联系
    • B、生物的生存和发展与环境有关
    • C、生物能适应环境和影响环境
    • D、生物的生存对环境有一定的影响

    正确答案:C

  • 第4题:

    在()情况下得到粗大而有规则的晶体。

    • A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度
    • B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度
    • C、晶体生长速度等于晶核生成速度
    • D、以上都不对

    正确答案:A

  • 第5题:

    在什么情况下得到粗大而有规则的晶体()

    • A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度
    • B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度
    • C、晶体生长速度等于晶核生成速度
    • D、以上都不对

    正确答案:A

  • 第6题:

    晶体生长最后应被生长速度慢的晶面包围。


    正确答案:正确

  • 第7题:

    问答题
    定义晶体生长,什么是CZ单晶生长法?

    正确答案: 晶体生长:是把半导体级硅的多晶硅块转换成一块大的单晶硅。
    CZ单晶生长法:是熔化了的半导体级硅液体变为有正确晶向并且被掺杂成n型或p型的固体硅锭。
    解析: 暂无解析

  • 第8题:

    问答题
    什么是晶体生长理论?

    正确答案: 从微观角度看,晶体生长过程可以看做一个基元过程。基元过程包括以下主要步骤:
    (1)基元的形成。
    (2)基元在生长界面的吸附。
    (3)基元在界面的运动。
    (4)基元在界面上的结晶或脱附。
    解析: 暂无解析

  • 第9题:

    单选题
    在()情况下得到粗大而有规则的晶体。
    A

    晶体生长速度大大超过晶核生成速度

    B

    晶体生长速度大大低于过晶核生成速度

    C

    晶体生长速度等于晶核生成速度

    D

    以上都不对


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    问答题
    影响晶体生长形态的外因?

    正确答案: 温度、杂质、涡流、黏度、结晶速度、晶体析出先后次序、地质条件。
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    单选题
    除哪一项外都是釉基质蛋白在釉质发育中的作用()
    A

    启动釉质矿化

    B

    作为晶体生长的支持相

    C

    调节晶体生长

    D

    形成釉柱


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    单选题
    在什么情况下得到粗大而有规则的晶体()
    A

    晶体生长速度大大超过晶核生成速度

    B

    晶体生长速度大大低于过晶核生成速度

    C

    晶体生长速度等于晶核生成速度

    D

    以上都不对


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    铸铁的组织中,柱状区形成的外因是()。

    • A、晶体生长的各向异性
    • B、晶体生长的各向同性
    • C、传热的方向性
    • D、晶体长大的速度

    正确答案:C

  • 第14题:

    除哪一项外都是釉基质蛋白在釉质发育中的作用()

    • A、启动釉质矿化
    • B、作为晶体生长的支持相
    • C、调节晶体生长
    • D、形成釉柱

    正确答案:D

  • 第15题:

    试述杂质对晶体生长速率的影响途径。


    正确答案:⑴通过改变溶液的组成或平衡饱和浓度,改变晶体与溶液之间界面上液层的特性,影响溶质长入晶面。
    ⑵杂质本身在晶面上吸附,产生阻挡作用。
    ⑶如结构与晶格有相似之处,杂质有可能长入晶体内;晶体生长过快产生晶体缺陷和位错时,晶格不同也可能产生吸藏现象。

  • 第16题:

    根据晶体生长扩散学说,晶体的生长包括()、()和()三个过程。


    正确答案:溶质借扩散作用从溶液中转移到晶体的表面;溶质长入晶面放出结晶热;结晶热传递回到溶液中

  • 第17题:

    晶体生长


    正确答案: 在过饱和溶液中已有晶核形成或加入晶种后,以过饱和度为推动力,晶核或晶种将长大,这种现象。

  • 第18题:

    在蓝区能够观察到可见光谱吸收线的宝石有:()

    • A、祖母绿
    • B、镁铝榴石
    • C、橄榄石
    • D、红宝石

    正确答案:C,D

  • 第19题:

    判断题
    生长速度大的晶面在晶体生长过程中最后被保留了下来。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第20题:

    名词解释题
    晶体生长

    正确答案: 在过饱和溶液中已有晶核形成或加入晶种后,以过饱和度为推动力,晶核或晶种将长大,这种现象。
    解析: 暂无解析

  • 第21题:

    问答题
    影响晶体生长的外部因素有哪些?

    正确答案: 涡流、温度、杂质、粘度、结晶速度、浓度、PH值
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    单选题
    釉基质蛋白在釉质发育中的作用以下哪项正确?()
    A

    启动釉质矿化

    B

    作为晶体生长的支持相

    C

    调节晶体生长

    D

    以上都对

    E

    以上都不对


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    判断题
    晶体生长的驱动力是固液两相的体积自由能差值。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析