CCD（电荷耦合器件）的基本单元是MOS电容，在P型硅基质上，通过氧化生成的氧化膜，即二氧化硅绝缘层，再在绝缘层上通过蒸发和（）形成条形金属电极就构成了MOS结构。A、光刻技术B、转移电荷C、光电效应D、光电转化

题目

CCD（电荷耦合器件）的基本单元是MOS电容，在P型硅基质上，通过氧化生成的氧化膜，即二氧化硅绝缘层，再在绝缘层上通过蒸发和（）形成条形金属电极就构成了MOS结构。

  • A、光刻技术
  • B、转移电荷
  • C、光电效应
  • D、光电转化
相似考题

1.MOS是()的简称。A、电荷耦合器件B、金属氧化物半导体C、电荷引动元件D、其他

2.结型场效应管的类型有()。A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管

3.DRAM是靠MOS电路中的栅极电容上的电荷来记忆信息的。为了防止数据丢失，需定时给电容上的电荷进行补充，这是通过以一定的时间间隔将DRAM各存储单元中的数据读出并再写入实现的，该过程称为DRAM的______。

4.构成CCD的基本单元是:_______AP型硅BPN结C光敏二极管DMOS电容器

更多“CCD（电荷耦合器件）的基本单元是MOS电容，在P型硅基质上，通”相关问题

  • 第1题：

    CCD扫描器采用（CCD）的电子自动扫描光电转换器（）

    • A、电荷耦合器件
    • B、激光为光源

    正确答案:A

  • 第2题：

    构成CCD的基本元件是（）

    • A、P型硅
    • B、PN结
    • C、发光二极管
    • D、MOS电容器

    正确答案:D

  • 第3题：

    CCD扫描器采用电荷耦合器件（CCD）的电子自动扫描光电转换器。


    正确答案:正确

  • 第4题：

    场效应管的类型有（）。

    • A、结型场效应管
    • B、绝缘栅型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第5题：

    开关电容滤波器包含：（）。

    • A、MOS开关
    • B、MOS运放
    • C、电容
    • D、电阻

    正确答案:A,B,C

  • 第6题：

    CCD图像传感器的基本单元是一个（）电容器。


    正确答案:MOS

  • 第7题：

    构成CCD的基本单元是（）。

    • A、P型硅
    • B、PN结
    • C、光敏二极管
    • D、MOS电容器

    正确答案:D

  • 第8题：

    CCD图像传感器是按一定规律排列的MOS电容器组成的阵列。


    正确答案:正确

  • 第9题：

    CMOS反相器基本电路包括（）

    • A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
    • B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

    正确答案:A

  • 第10题：

    判断题
    CCD的中文说法是电荷耦合器件。（）
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    电荷耦合器件分（）
    A

    线阵CCD和面阵CCD

    B

    线阵CCD和点阵CCD

    C

    面阵CCD和体阵CCD

    D

    体阵CCD和点阵CCD


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    构成CCD的基本元件是（）
    A

    P型硅

    B

    PN结

    C

    发光二极管

    D

    MOS电容器


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    单极型集成电路不包含（）.

    • A、普通晶体管（NPN管或PNP管）
    • B、P沟道MOS管
    • C、N沟道MOS管
    • D、互补型MOS（即CMOS）

    正确答案:A

  • 第14题：

    CCD的中文说法是电荷耦合器件。（）


    正确答案:正确

  • 第15题：

    结型场效应管的类型有（）。

    • A、N沟道结型场效应管
    • B、P沟道结型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第16题：

    UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。

    • A、N沟道结型管
    • B、增强型MOS管
    • C、耗尽型MOS管
    • D、P沟道结型管

    正确答案:B

  • 第17题：

    非晶硅太阳能电池的基本构造是下列的哪种？（）

    • A、梳状电极→减反膜→n型硅→p型硅→反电极
    • B、梳状电极→TCO→p型硅→i型硅→n型硅→SS
    • C、梳状电极→TCO→n型硅→p型硅→i型硅→导电玻璃
    • D、梳状电极→TCO→p型硅→n型硅→i型硅→SS

    正确答案:B

  • 第18题：

    电荷耦合器件CCD传感器是由许多感光单元组成，通常以百万像素为单位，以（）作为信号载体。


    正确答案:电荷

  • 第19题：

    构成CCD的基本单元是（）

    • A、P型硅
    • B、PN结
    • C、光电二极管
    • D、MOS电容器

    正确答案:D

  • 第20题：

    某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）

    • A、P沟道耗尽型MOS管
    • B、N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管
    • D、N沟道增强型MOS管

    正确答案:B

  • 第21题：

    问答题
    CCD是一种电荷耦合器件，CCD的突出特点是以什么作为信号，CCD的基本功能是什么？

    正确答案： 电荷；CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    CCD扫描器采用（CCD）的电子自动扫描光电转换器（）
    A

    电荷耦合器件

    B

    激光为光源


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    MOS场效应晶体管分为四种基本类型：（）、（）、P沟增强型、P沟耗尽型。

    正确答案： N沟增强型,N沟耗尽型
    解析： 暂无解析

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